Dejenere yarı iletken malzemenin bir yarı iletkenden çok bir metal gibi davranmaya başladığı kadar yüksek bir ka

Dejenere yarı iletken, malzemenin bir yarı iletkenden çok bir metal gibi davranmaya başladığı kadar yüksek bir katkı/ uyarılma seviyesine sahip bir yarı iletkendir. Dejenere olmayan yarı iletkenlerin aksine, bu tür yarı iletkenler, içsel taşıyıcı konsantrasyonunu sıcaklık ve bant aralığı ile ilişkilendiren kütle hareket yasasına uymaz.

Orta düzeyde katkılama seviyelerinde, katkı atomları, sırasıyla iletkenlik veya değerlik bantlarına termal yükseltme (veya bir optik geçiş ) ile elektronları veya delikleri bağışlayabilen lokalize durumlar olarak düşünülebilen bireysel katkı seviyeleri yaratır. Yeterince yüksek safsızlık konsantrasyonlarında, bireysel safsızlık atomları, katkı/ uyarılma seviyelerinin bir safsızlık bandında birleşeceği kadar yakın komşular haline gelebilir ve böyle bir sistemin davranışı, bir yarı iletkenin tipik özelliklerini, örneğin sıcaklıkla iletkenliğinde artışını göstermeyi bırakır. Öte yandan, dejenere bir yarı iletken, gerçek bir metalden çok daha az yük taşıyıcıya sahiptir, bu nedenle davranışı birçok yönden yarı iletken ve metal arasında aracıdır.

Pek çok bakır kalkojenit, değerlik bandında nispeten çok sayıda deliğe sahip dejenere p-tipi yarı iletkenlerdir . Bir örnek, Mg katkılı LaCuOS _1−x Se _x sistemidir. Geniş aralıklı bir p tipi dejenere yarı iletkendir. Dejenere yarı iletkenlerin tipik bir özelliği olan delik konsantrasyonu sıcaklıkla değişmez.

Bir başka iyi bilinen örnek, indiyum kalay oksittir. Plazma frekansı IR aralığında olduğu için oldukça iyi bir metalik iletkendir ancak spektrumun görünür ışık aralığında şeffaftır.

Kaynakça

^ Hidenori Hiramatsu; Kazushige Ueda; Hiromichi Ohta; Masahiro Hirano; Toshio Kamiya; Hideo Hosono (15 Aralık 2003). Wide gap p-type degenerate semiconductor: Mg-doped LaCuOSe. Thin Solid Films, Proceedings of the 3rd International Symposium on Transparent Oxide Thin films for Electronics and Optics. 445. ss. 304-308.
^ Scott H. Brewer (2002). "Indium Tin Oxide Plasma Frequency Dependence on Sheet Resistance and Surface Adlayers Determined by Reflectance FTIR Spectroscopy". J. Phys. Chem. B. 106 (50): 12986-12992. doi:10.1021/jp026600x.

[1] Hidenori Hiramatsu; Kazushige Ueda; Hiromichi Ohta; Masahiro Hirano; Toshio Kamiya; Hideo Hosono (15 Aralık 2003). Wide gap p-type degenerate semiconductor: Mg-doped LaCuOSe. Thin Solid Films, Proceedings of the 3rd International Symposium on Transparent Oxide Thin films for Electronics and Optics. 445. ss. 304-308.

[2] Scott H. Brewer (2002). "Indium Tin Oxide Plasma Frequency Dependence on Sheet Resistance and Surface Adlayers Determined by Reflectance FTIR Spectroscopy". J. Phys. Chem. B. 106 (50): 12986-12992. doi:10.1021/jp026600x.