Gunn diyot, Aktarılan elektron cihazı (TED) olarak da bilinen, yüksek frekanslı elektronikte kullanılan negatif diferansiyel dirençli, iki terminalli yarı iletken bir elektronik bileşen olan bir diyot türüdür.
Fizikçi tarafından 1962 yılında keşfedilen 'ne dayanmaktadır. Başlıca kullanım alanları, radar hız tabancaları, mikrodalga röle veri bağlantısı vericileri ve otomatik kapı açıcılar gibi uygulamalarda mikrodalgalar üretmek için elektronik osilatörlerdir. Diğer diyotlar gibi PN bağlantısı yerine, n-tipi yarı iletken malzeme ile galyum arsenit "GaAs" veya indiyum fosfit "InP" kullanılarak oluşturulmuştur.
Bu diyotlar, PN diyotlar gibi doğrultma yapmak yerine osilatör olarak kullanılmaktadır. Çalışma frekansı 100 GHz gibi yüksek değerlere ulaşabildiği için radar, telekominikasyon gibi sistemlerin yanında, mikrodalga osilatör devrelerinde de kullanılmaktadır.
Kaynakça
Elektronik ile ilgili bu madde seviyesindedir. Madde içeriğini genişleterek Vikipedi'ye katkı sağlayabilirsiniz. |
wikipedia, wiki, viki, vikipedia, oku, kitap, kütüphane, kütübhane, ara, ara bul, bul, herşey, ne arasanız burada,hikayeler, makale, kitaplar, öğren, wiki, bilgi, tarih, yukle, izle, telefon için, turk, türk, türkçe, turkce, nasıl yapılır, ne demek, nasıl, yapmak, yapılır, indir, ücretsiz, ücretsiz indir, bedava, bedava indir, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, resim, müzik, şarkı, film, film, oyun, oyunlar, mobil, cep telefonu, telefon, android, ios, apple, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, pc, web, computer, bilgisayar
Gunn diyot Aktarilan elektron cihazi TED olarak da bilinen yuksek frekansli elektronikte kullanilan negatif diferansiyel direncli iki terminalli yari iletken bir elektronik bilesen olan bir diyot turudur Fizikci tarafindan 1962 yilinda kesfedilen ne dayanmaktadir Baslica kullanim alanlari radar hiz tabancalari mikrodalga role veri baglantisi vericileri ve otomatik kapi acicilar gibi uygulamalarda mikrodalgalar uretmek icin elektronik osilatorlerdir Diger diyotlar gibi PN baglantisi yerine n tipi yari iletken malzeme ile galyum arsenit GaAs veya indiyum fosfit InP kullanilarak olusturulmustur Bu diyotlar PN diyotlar gibi dogrultma yapmak yerine osilator olarak kullanilmaktadir Calisma frekansi 100 GHz gibi yuksek degerlere ulasabildigi icin radar telekominikasyon gibi sistemlerin yaninda mikrodalga osilator devrelerinde de kullanilmaktadir Kaynakca Sze S M Ng Kwok Kwok 2007 Physics of semiconductor devices Third edition Hoboken NJ Wiley Interscience ISBN 978 0 471 14323 9 Elektronik ile ilgili bu madde taslak seviyesindedir Madde icerigini genisleterek Vikipedi ye katki saglayabilirsiniz