Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
JFET (Junction Field Effect Transistor - birleşim yüzeyli alan etkili transistör) üretilen ilk alan etkili transistörlerdir (FET-Field Effect Transistör). JFET'ler üç bacaklıdır; G (Gate), S (Source) ve D (Drain). JFET'lerin G bacakları normal transistörlerin base bacağına, source bacakları normal transitörlerin emiter bacağına, drain bacakları ise normal transistörlerin kollektör bacaklarına benzetilebilir.
JFET'lerin giriş empedansları 100 MOHM dolayında olup çok yüksektir, çalışabildikleri frekans aralığı dardır. JFET'ler giriş empedanslarının yüksek ve elektrotları arasındaki kapasitenin düşük olması nedeniyle yüksek frekanslı elektronik devrelerde kullanılırlar.
Normal transistör ile JFET arasındaki tek fark, normal transistörün kollektör emiter arasındaki akımın, base'inden verilen akımla kontrol edilmesi, JFET transistörün ise gate 'inden verilen gerilimle kontrol edilmesidir. Yani JFET'ler gate ucundan hiçbir akım çekmezler. JFET'in en önemli özelliği de budur. Bu özellik içerisinde çok sayıda transistör bulunduran entegrelerde ısınma ve akım yönünden büyük bir avantaj sağlar.
JFET çeşitleri
Normal transistörlerin NPN ve PNP çeşitleri olduğu gibi JFET transistörlerinde N kanal ve P kanal olarak çeşitleri bulunmaktadır. Fakat genel olarak en çok N kanal JFET'ler kullanılır.
N Kanallı JFET
N kanal JFET transistörler iki adet P ve bir adette N maddesinin birleşiminden meydana gelmiştir. Gate ucuna uygulanan gerilim ile Drain ve Source uçları arasındaki direnç değeri kontrol edilir. Gate ucu 0V tutulduğunda, yani D ucuna birleştirildiğinde P ve N maddeleri arasındaki nötr bölge genişlemeye başlar. Bu durumda D ve S uçları arasından yüksek bir akım akmaktadır. D ve S uçları arasına uygulanan gerilim seviyesi arttırıldığı takdirde ise bu nötr bölge daha da genişlemeye başlar ve akım doyum değerinde sabit kalır. Gate ucuna eksi değerde bir gerilim uygulanması durumunda ise nötr bölge daralır. Akım seviyesi de gate ucuna uygulanan gerilim seviyesine bağlı olarak düşmeye başlar. Bu sayede D ve S uçlarındaki direnç değeri yükselir.
P Kanallı JFET
P kanal JFET transistörlerin çalışma sistemi de N kanal JFET 'lerle aynıdır. Tek farkı polarizasyon yönünün ve P N maddelerinin yerlerinin ters olmasıdır. Yani gate ucuna pozitif yönde polarizasyon verdiğimizde D ve S uçları arasındaki direnç artar, akım düşer. Gate ucu 0V iken ise akım doyumdadır.
JFET'lerin avantajları
- JFET'ler anahtar olarak kullanıldıklarında sapma gerilimleri yoktur.
- JFET'ler bipolar transistörlere göre daha az parazit ile (gürültü) çalışırlar.
- JET'lerin sıcaklık kararlılıkları yüksektir, yani sıcaklık değişimlerinden az etkilenirler.
- JFET'lerin gövdeleri küçük olduğundan entegrelerde çok kullanılırlar.
JFET'lerin dezavantajları
- JFET'lerin dezavantajı çalışabildikleri frekans aralığının (bant genişliği) dar olması ve çabuk hasar görebilmeleridir.
- Mosfetler ve JFET'ler arasındaki en önemli fark da mosfetlerin bant genişliğinin çok daha fazla olmasıdır.
Kaynakça
- Robotik Sistem 22 Aralık 2015 tarihinde Wayback Machine sitesinde .
 | Elektronik ile ilgili bu madde seviyesindedir. Madde içeriğini genişleterek Vikipedi'ye katkı sağlayabilirsiniz. |
wikipedia, wiki, viki, vikipedia, oku, kitap, kütüphane, kütübhane, ara, ara bul, bul, herşey, ne arasanız burada,hikayeler, makale, kitaplar, öğren, wiki, bilgi, tarih, yukle, izle, telefon için, turk, türk, türkçe, turkce, nasıl yapılır, ne demek, nasıl, yapmak, yapılır, indir, ücretsiz, ücretsiz indir, bedava, bedava indir, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, resim, müzik, şarkı, film, film, oyun, oyunlar, mobil, cep telefonu, telefon, android, ios, apple, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, pc, web, computer, bilgisayar
JFET Junction Field Effect Transistor birlesim yuzeyli alan etkili transistor uretilen ilk alan etkili transistorlerdir FET Field Effect Transistor JFET ler uc bacaklidir G Gate S Source ve D Drain JFET lerin G bacaklari normal transistorlerin base bacagina source bacaklari normal transitorlerin emiter bacagina drain bacaklari ise normal transistorlerin kollektor bacaklarina benzetilebilir JFET ic yapisi JFET lerin giris empedanslari 100 MOHM dolayinda olup cok yuksektir calisabildikleri frekans araligi dardir JFET ler giris empedanslarinin yuksek ve elektrotlari arasindaki kapasitenin dusuk olmasi nedeniyle yuksek frekansli elektronik devrelerde kullanilirlar Normal transistor ile JFET arasindaki tek fark normal transistorun kollektor emiter arasindaki akimin base inden verilen akimla kontrol edilmesi JFET transistorun ise gate inden verilen gerilimle kontrol edilmesidir Yani JFET ler gate ucundan hicbir akim cekmezler JFET in en onemli ozelligi de budur Bu ozellik icerisinde cok sayida transistor bulunduran entegrelerde isinma ve akim yonunden buyuk bir avantaj saglar JFET cesitleriNormal transistorlerin NPN ve PNP cesitleri oldugu gibi JFET transistorlerinde N kanal ve P kanal olarak cesitleri bulunmaktadir Fakat genel olarak en cok N kanal JFET ler kullanilir N Kanalli JFET N kanal JFET transistorler iki adet P ve bir adette N maddesinin birlesiminden meydana gelmistir Gate ucuna uygulanan gerilim ile Drain ve Source uclari arasindaki direnc degeri kontrol edilir Gate ucu 0V tutuldugunda yani D ucuna birlestirildiginde P ve N maddeleri arasindaki notr bolge genislemeye baslar Bu durumda D ve S uclari arasindan yuksek bir akim akmaktadir D ve S uclari arasina uygulanan gerilim seviyesi arttirildigi takdirde ise bu notr bolge daha da genislemeye baslar ve akim doyum degerinde sabit kalir Gate ucuna eksi degerde bir gerilim uygulanmasi durumunda ise notr bolge daralir Akim seviyesi de gate ucuna uygulanan gerilim seviyesine bagli olarak dusmeye baslar Bu sayede D ve S uclarindaki direnc degeri yukselir P Kanalli JFET P kanal JFET transistorlerin calisma sistemi de N kanal JFET lerle aynidir Tek farki polarizasyon yonunun ve P N maddelerinin yerlerinin ters olmasidir Yani gate ucuna pozitif yonde polarizasyon verdigimizde D ve S uclari arasindaki direnc artar akim duser Gate ucu 0V iken ise akim doyumdadir JFET lerin avantajlariJFET ler anahtar olarak kullanildiklarinda sapma gerilimleri yoktur JFET ler bipolar transistorlere gore daha az parazit ile gurultu calisirlar JET lerin sicaklik kararliliklari yuksektir yani sicaklik degisimlerinden az etkilenirler JFET lerin govdeleri kucuk oldugundan entegrelerde cok kullanilirlar JFET lerin dezavantajlariJFET lerin dezavantaji calisabildikleri frekans araliginin bant genisligi dar olmasi ve cabuk hasar gorebilmeleridir Mosfetler ve JFET ler arasindaki en onemli fark da mosfetlerin bant genisliginin cok daha fazla olmasidir KaynakcaRobotik Sistem 22 Aralik 2015 tarihinde Wayback Machine sitesinde Elektronik ile ilgili bu madde taslak seviyesindedir Madde icerigini genisleterek Vikipedi ye katki saglayabilirsiniz