Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Kimyasal buhar biriktirme (İngilizce: Chemical vapor deposition (CVD)). , sürtünme ile kıvılcım üreten kükürt topunu, eğlence amaçlı yapması bu prosesin başlangıcı sayılır. Birbirlerine sürterek kıvılcım çıkarmakta ve hidrojensülfat oluşturulmaktaydı. 1798'de Henry, hidrokarbon gazı içerisinde, kıvılcım yaratarak karbon biriktirme yapmayı başardı.
1802'de Sir , yeni icat edilen ile ilk kimyasal buhar kaplama çalışmalarına başladı. 1890'larda CVD yöntemi, ampul filamentlerinin kuvvetlendirilmesi amacı ile geliştirilmeye başlanmıştır. CVD yöntemi kullanılarak, metal filmlere şekil verebilmek için hidrojen azaltılması işlemini Aylesworht 1896’da gerçekleştirmiştir.
Önceleri CVD atmosfer koşullarına açık ortamlarda yapılırken, vakum sistemlerinin geliştirilmesi ile farklı basınç koşullarında deneyler yapılmaya başlandı. Ortamdaki yoğunluğu artırmak amacıyla CVD prosesi, argon veya nitrojen gazı bulunan ortam ile kontrol edilebiliyordu. CVD yöntemi ile titanyum karbit kaplamalı iş aletleri 1930'larda Almanlar tarafından üretildi. 1948’de modern termal atmosferik CVD yöntemi Lander ve tarafından uygulandı (APCVD). 1961’de Theorer CVD yöntemi ile tek-kristal silikonun (epitaksiyel) kaplanmasını gösterdi. CVD reaktörleri, soğuk duvar reaktörleri ya da sıcak duvar reaktörleri şeklindedir. Soğuk duvar reaktörleri tipinde sadece substrat ve tutucusu ısıtılır. Sıcak duvar reaktörlerinde ise bütün ortamın ısıtıldığı grup substratların bulunduğu tiptir. 1973’te CVD sırasında, bölgesel ısıtma yapmayı sağlayan lazer keşfedilmiş ve derhal bütün CVD sistemlerinde uygulamaya koyulmuştur.
APCVD atmosferik basınç ve çok yüksek sıcaklıklarda çalışırken, LPCVD (düşük basınç CVD) çok düşük basınçlarda (0,25 Torr) çalışmaktadır. LPCVD yöntemi kaplamalarda çok daha iyi koruma ve daha az partikül kirlenmesi sağlar. LPCVD kaplama işlemi, yarı iletken endüstrisinde, dope edilmiş silikon kaplama işleminde, yarı iletken komponentleri üretmede kullanılmaktadır.
Aralıklı-düşük basınç CVD çok ince film kaplamaları yapmak amacı ile kullanılmaktadır. Aralıklı CVD’nin atomsal katman kaplama (ALD) işlemi ile örneğin yüzey üzerine tek katman halinde atom kaplanabilmektedir. ALCVD yöntemi yüzeyde yüksek oranda tek görünüm (cephe) oluşturabilmeyi sağlar.
İlk plazma içeren kimyasal buhar kaplama proseslerine “Işıldama deşarjı biriktirme” adı verilmişti. Daha sonra, plazmayla desteklenmiş CVD (PECVD) olarak anılmaya başlanmıştır.
1911’de , cıva buharında sıkıştırılmış C2H2 tarafından elmas kristallerine kaplama yaptı. 1934’te karbon içeren buharlar ile gaz deşarj tüplerinin duvarlarına inert ve camsı karbonik filmler kaplandı. 1953’te , plazma biriktirilmesi tekniği ile karbon filmler yaptı ve elmasa benzer karbonları buldu (DLC- Diamond Like Carbons), DLC filmleri çeşitli teknolojilerle üretilebilmektedir (piroliz, , yöntemleri).
1965’te Sterling ve , plazmaların CVD dekompozisyonundaki önemi hakkında tartıştılar. Genellikle plazma ile biriktirme yapılırken, moleküller tam olarak ayrışmaz, bu durumda moleküllerin spektrum düzeninin ve moleküler parçalarının nötr ve iyonize olmasını sağlar. Mesela PECVD yöntemi ile silikondan, silen’e biriktirme yapılırken Si2H6'nın düzeni, yüzeyin absorblanmaya hazır olması için büyük rol oynar. O3 (ozon), O2'den daha çok oksitli yüzeylerde absorblanmaya yatkındır. Plazma ayrışması ve buhar fazı nükleonlanması, süper ince partiküller üretilmesini sağlayabilmektedir.
1971’de Reinberg, RF ile çalışan paralel tablalı PECVD reaktörünü keşfetti. Bu reaktör CVD materyallerine daha düşük sıcaklıklarda işlem yapabiliyordu. Genellikle 0.5 Torr basınç altında, cam filmlerine (phospho-silikat-glass PSG) ve Si3N4 (silen ve nitrojen), yarı iletken kapsülleme işlemi yapıyordu. Plazma kaplama işlemi genellikle optik kaplamalarda kullanılmıştır.
İkinci Dünya Savaşı sırasında icat edilen ilk metal iyon demeti tipi kaynağa “” adı verilmiştir. Calutron’un ürettiği iyonlar 35 kV’a kadar hızlandırılabilir ve manyetizma ile izotopik kütleleri ayrıştırır. Calutron, uranyum-235 izotoplarını, uranyum-238'den ayırmak için kullanılır. Uranyum atomları buharlaştırılarak, negatif yüklü parçacıkları ile bombalanır ve buharlaşmış atomlar pozitif yüklü hale getirilir. Ardından pozitif yüklü parçacıklar manyetik alan ile hızlandırılırlar ve yolun sonunda çarptıkları tabakada kütlelerine göre akım üretirler ve ayrışırlar.
CVD’nin bir yöntemide, plazma polimerizasyondur. Bu yöntem ilk defa 1874 yılında ve tarafından bulunmuştur. Ancak 1960’lara kadar hiçbir pratik uygulaması olmamıştır. 1960’lardan sonra gıda ambalajlarını korozyondan korumak amacıyla çok ince polimer kaplamalar yapılmıştır.
Daha fazla bilgi için:
wikipedia, wiki, viki, vikipedia, oku, kitap, kütüphane, kütübhane, ara, ara bul, bul, herşey, ne arasanız burada,hikayeler, makale, kitaplar, öğren, wiki, bilgi, tarih, yukle, izle, telefon için, turk, türk, türkçe, turkce, nasıl yapılır, ne demek, nasıl, yapmak, yapılır, indir, ücretsiz, ücretsiz indir, bedava, bedava indir, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, resim, müzik, şarkı, film, film, oyun, oyunlar, mobil, cep telefonu, telefon, android, ios, apple, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, pc, web, computer, bilgisayar
Kimyasal buhar biriktirme Ingilizce Chemical vapor deposition CVD surtunme ile kivilcim ureten kukurt topunu eglence amacli yapmasi bu prosesin baslangici sayilir Birbirlerine surterek kivilcim cikarmakta ve hidrojensulfat olusturulmaktaydi 1798 de Henry hidrokarbon gazi icerisinde kivilcim yaratarak karbon biriktirme yapmayi basardi Reinberg in yaptigi RF ile calisan paralel tablali PECVD reaktoru cizimi 1973 1802 de Sir yeni icat edilen ile ilk kimyasal buhar kaplama calismalarina basladi 1890 larda CVD yontemi ampul filamentlerinin kuvvetlendirilmesi amaci ile gelistirilmeye baslanmistir CVD yontemi kullanilarak metal filmlere sekil verebilmek icin hidrojen azaltilmasi islemini Aylesworht 1896 da gerceklestirmistir Onceleri CVD atmosfer kosullarina acik ortamlarda yapilirken vakum sistemlerinin gelistirilmesi ile farkli basinc kosullarinda deneyler yapilmaya baslandi Ortamdaki yogunlugu artirmak amaciyla CVD prosesi argon veya nitrojen gazi bulunan ortam ile kontrol edilebiliyordu CVD yontemi ile titanyum karbit kaplamali is aletleri 1930 larda Almanlar tarafindan uretildi 1948 de modern termal atmosferik CVD yontemi Lander ve tarafindan uygulandi APCVD 1961 de Theorer CVD yontemi ile tek kristal silikonun epitaksiyel kaplanmasini gosterdi CVD reaktorleri soguk duvar reaktorleri ya da sicak duvar reaktorleri seklindedir Soguk duvar reaktorleri tipinde sadece substrat ve tutucusu isitilir Sicak duvar reaktorlerinde ise butun ortamin isitildigi grup substratlarin bulundugu tiptir 1973 te CVD sirasinda bolgesel isitma yapmayi saglayan lazer kesfedilmis ve derhal butun CVD sistemlerinde uygulamaya koyulmustur APCVD atmosferik basinc ve cok yuksek sicakliklarda calisirken LPCVD dusuk basinc CVD cok dusuk basinclarda 0 25 Torr calismaktadir LPCVD yontemi kaplamalarda cok daha iyi koruma ve daha az partikul kirlenmesi saglar LPCVD kaplama islemi yari iletken endustrisinde dope edilmis silikon kaplama isleminde yari iletken komponentleri uretmede kullanilmaktadir Aralikli dusuk basinc CVD cok ince film kaplamalari yapmak amaci ile kullanilmaktadir Aralikli CVD nin atomsal katman kaplama ALD islemi ile ornegin yuzey uzerine tek katman halinde atom kaplanabilmektedir ALCVD yontemi yuzeyde yuksek oranda tek gorunum cephe olusturabilmeyi saglar Ilk plazma iceren kimyasal buhar kaplama proseslerine Isildama desarji biriktirme adi verilmisti Daha sonra plazmayla desteklenmis CVD PECVD olarak anilmaya baslanmistir 1911 de civa buharinda sikistirilmis C2H2 tarafindan elmas kristallerine kaplama yapti 1934 te karbon iceren buharlar ile gaz desarj tuplerinin duvarlarina inert ve camsi karbonik filmler kaplandi 1953 te plazma biriktirilmesi teknigi ile karbon filmler yapti ve elmasa benzer karbonlari buldu DLC Diamond Like Carbons DLC filmleri cesitli teknolojilerle uretilebilmektedir piroliz yontemleri 1965 te Sterling ve plazmalarin CVD dekompozisyonundaki onemi hakkinda tartistilar Genellikle plazma ile biriktirme yapilirken molekuller tam olarak ayrismaz bu durumda molekullerin spektrum duzeninin ve molekuler parcalarinin notr ve iyonize olmasini saglar Mesela PECVD yontemi ile silikondan silen e biriktirme yapilirken Si2H6 nin duzeni yuzeyin absorblanmaya hazir olmasi icin buyuk rol oynar O3 ozon O2 den daha cok oksitli yuzeylerde absorblanmaya yatkindir Plazma ayrismasi ve buhar fazi nukleonlanmasi super ince partikuller uretilmesini saglayabilmektedir Plazma takviyeli PECVD islemi 1971 de Reinberg RF ile calisan paralel tablali PECVD reaktorunu kesfetti Bu reaktor CVD materyallerine daha dusuk sicakliklarda islem yapabiliyordu Genellikle 0 5 Torr basinc altinda cam filmlerine phospho silikat glass PSG ve Si3N4 silen ve nitrojen yari iletken kapsulleme islemi yapiyordu Plazma kaplama islemi genellikle optik kaplamalarda kullanilmistir Ikinci Dunya Savasi sirasinda icat edilen ilk metal iyon demeti tipi kaynaga adi verilmistir Calutron un urettigi iyonlar 35 kV a kadar hizlandirilabilir ve manyetizma ile izotopik kutleleri ayristirir Calutron uranyum 235 izotoplarini uranyum 238 den ayirmak icin kullanilir Uranyum atomlari buharlastirilarak negatif yuklu parcaciklari ile bombalanir ve buharlasmis atomlar pozitif yuklu hale getirilir Ardindan pozitif yuklu parcaciklar manyetik alan ile hizlandirilirlar ve yolun sonunda carptiklari tabakada kutlelerine gore akim uretirler ve ayrisirlar CVD nin bir yontemide plazma polimerizasyondur Bu yontem ilk defa 1874 yilinda ve tarafindan bulunmustur Ancak 1960 lara kadar hicbir pratik uygulamasi olmamistir 1960 lardan sonra gida ambalajlarini korozyondan korumak amaciyla cok ince polimer kaplamalar yapilmistir Daha fazla bilgi icin Fiziksel buhar biriktirme Ince film kaplama teknikleri