Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki dirençleri ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır.
Direncin küçük olduğu yöne "doğru yön" veya "iletim yönü", büyük olduğu yöne "ters yön" veya "tıkama yönü" denir. Diyot sembolü akım geçiş yönünü gösteren bir ok şeklindedir.
Ayrıca, diyodun uçları pozitif (+) ve negatif (-) işaretleri ile de belirlenir. "+" uca anot, "-" uca katot denir. Diyodun anoduna, gerilim kaynağının pozitif (+) kutbu, katoduna kaynağın negatif (-) kutbu gelecek şekilde gerilim uygulandığında diyot iletime geçer.
Diyot Akımı Formülü
Bu formülde; I: Diyot akımı, I0: Ters polarmada sızıntı akımı, V: Diyot uçlarındaki polarma gerilimi, Q: Elektron şarj miktarı (Coulomb), T: pn birleşim sıcaklığı (K), K: Boltzman sabiti, ŋ: Metale bağımlı bir sabit (Ge:1, Si=2)
Çeşitleri
- Zener diyot
- Işık Yayan Diyot (LED)
- Foto diyot
- Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot (Varaktör - )
- Mikrodalga diyot
- IMPATT diyot (Avalanş)
- Baritt () Diyot
- Ani Toparlanmalı Diyot
- Pin Diyot
Diyotlar başlıca üç ana gruba ayrılır:
- Lamba diyotlar
- Metal diyotlar
- Yarı iletken diyotlar
Lamba Diyotlar
Lamba diyotlar en yaygın biçimde redresör ve detektör olarak kullanılmıştır. Sıcak katotlu lamba, cıva buharlı ve tungar lambalar bu gruptandır. Isınan katotdan fırlayan elektronlar atom tarafından çekilmekte ve devreden tek yönlü bir akım akışı sağlanmaktadır. Eskiden kalanların dışında bu tür diyotlar artık kullanılmamaktadır.
Metal Diyotlar
Bakır oksit (Cu2O) ve selenyumlu diyotlar bu gruba girmektedirler.
Bakır oksitli diyotlar ölçü aletleri ve telekomünikasyon devreleri gibi küçük gerilim ve küçük güçle çalışan devrelerde, selenyum diyotlar ise birkaç kilowatt 'a kadar çıkan güçlü devrelerde kullanılırlar.
Yarı İletken Diyotlar
Yarı iletken diyotları, p-tipi ve n-tipi germanyum veya silisyum yarı iletken kristallerinin bazı işlemler uygulanarak bir araya getirilmesiyle elde edilen diyotlardır. Hem elektrikte hem de elektronikte kullanılmaktadır. tipik bir örnek olarak kuvvetli akımda kullanılan bir silikon diyot verilmiştir. p-tipinde delikler çoğunluk taşıyıcısı, elektronlar azınlık taşıyıcısıdır. Tersi olarak da, n-tipinde serbest elektronlar çoğunluk taşıyıcı, delikler azınlık taşıyıcısıdır.
Yapıları
Kristal Diyot
Nokta temaslı diyot elektronik alanında ilk kullanılan diyottur. 1900-1940 tarihleri arasında özellikle radyo alanında kullanılan galenli ve pritli detektörler kristal diyotların ilk örnekleridir. Galen veya prit kristali üzerinde gezdirilen ince fosfor-bronz tel ile değişik istasyonlar bulunabiliyordu. Günlük hayatta bunlara, kristal detektör veya diğer adıyla kristal diyot denmiştir. Nokta temaslı germanyum veya silikon diyotlar geliştirilmiştir.
Germanyum veya silisyum nokta temaslı diyodun esası; 0,5 mm çapında ve 0,2 mm kalınlığındaki n-tipi kristal parçacığı ile "fosfor-bronz" veya "berilyum bakır" bir telin temasını sağlamaktan ibarettir.
Bu tür diyotta, n-tipi kristale noktasal olarak büyük bir pozitif gerilim uygulanır. Pozitif gerilim temas noktasındaki bir kısım kovalan bağı kırarak elektronları alır. Böylece, çok küçük çapta bir p-tipi kristal ve dolayısıyla da PN diyot oluşur. Bu oluşum şekil 3.12 (b) 'de gösterilmiştir.
Bugün nokta temaslı diyotların yerini her ne kadar jonksiyon diyotlar almış ise de, yine de elektrotları arasındaki kapasitenin çok küçük olması nedeniyle yüksek frekanslı devrelerde kullanılma alanları bulunmaktadır. Ters yön dayanma gerilimleri düşük olup dikkatli kullanılması gerekir.
Böyle bir diyodun elektrotlar arası kapasitesi 1 pF 'ın altına kadar düşmektedir. Dolayısıyla yüksek frekanslar için diğer diyotlara göre daha uygun olmaktadır.
Nokta temaslı diyotların kullanım alanları
Nokta temaslı en çok , televizyon, video dedeksiyonunda, ise radyofrekans ölçü aletlerinde (voltmetre, , rediktör vs...) kullanılır.
Zener diyot
Voltajın sabitlenmesine yarayan bir diyottur. Devreye ters polarize edilir. Mesela 5,6 V değerinde bir zenerin uçlarında (ters polarizasyon) 10 V'luk gerilim oluşursa 4,4 Voltu üzerinden geçirir. Uçlarından 5,6 V alınabilir.
Tünel Diyot
Tünel diyotlar, özellikle mikro dalga alanında yükselteç ve osilatör olarak yararlanılmak üzere üretilmektedir. Tünel diyoda, esaslarını 1958 'de ilk ortaya koyan Japon Dr. 'nin adından esinlenerek "" dan denmektedir.
P-N birleşme yüzeyi çok ince olup, küçük gerilim uygulamalarında bile çok hızlı ve yoğun bir elektron geçişi sağlanmaktadır. Bu nedenledir ki , 10.000 MHz 'e kadarki çok yüksek frekans devrelerinde en çok yükselteç ve osilatör elemanı olarak kullanılır.
Tünel diyoda uygulanan gerilim Vt1 değerine gelinceye kadar gerilim büyüdükçe akım da artıyor. Gerilim büyümeye devam edince, akım A noktasındaki It değerinden düşmeye başlıyor. Gerilim büyümeye devam ettikçe, akım B noktasında bir müddet IV değerinde sabit kalıp sonra C noktasına doğru artıyor. C noktası gerilimi Vt2, akımı yine It 'dir. Bu akıma "Tepe değeri akımı" denilmektedir.
Gerilimi, Vt2 değerinden daha fazla arttırmamak gerekir. Aksi halde geçen akım, It tepe değeri akımını aşacağından diyot bozulacaktır.
I = f(V) eğrisinin A-B noktaları arasındaki eğimi negatif olup, -1/R ile ifade edilmekte ve diyodun bu bölgedeki direnci de negatif direnç olmaktadır. Tünel diyot A-B bölgesinde çalıştırılarak negatif direnç özelliğinden yararlanılır.
Tünel diyodun üstünlükleri:
- Çok yüksek frekansta çalışabilir.
- Güç sarfiyatı çok düşüktür. 1 mW 'ı geçmemektedir.
Tünel diyodun dezavantajları:
- Stabil değildir. Negatif dirençli olması nedeniyle kontrolü zordur.
- Arzu edilmeyen işaretlere de kaynaklık yapmaktadır.
Tünel Diyodun kullanım alanları
Yükselteç olarak: Tünel diyot, negatif direnci nedeniyle, uygun bir bağlantı devresinde kaynaktan çekilen akımı arttırmakta, dolayısıyla bu akımın harcandığı devredeki gücün yükselmesini sağlamaktadır.
Osilatör olarak: Tünel diyotlardan MHz (106 Hz) mertebesinde osilatör olarak yararlanılabilmektedir. Bir tünel diyot ile osilasyon sağlayabilmek için negatif direncinin diğer rezonans elemanlarının pozitif direncinden daha büyük olması gerekir. Tünel diyoda seri bir rezonans devresi bağlanabilecektir. Tünel diyodun negatif direnci - R=80 Ohm olsun. Rezonans devresinin direnci 80 Ohm 'dan küçük ise tünel diyot bu devrenin dengesini bozacağından osilasyon doğacaktır.
Anahtar Olarak: Tünel diyodun önemli fonksiyonlarından biri de elektronik beyinlerde multivibratörlerde, gecikmeli osilatörlerde, flip-flop devrelerinde ve benzeri elektronik sistemlerde anahtar görevi yapar
Işık Yayan Diyot (LED)
Işık yayan diyotlar, doğru yönde gerilim uygulandığı zaman ışıyan, diğer bir deyimle elektriksel enerjiyi ışık enerjisi haline dönüştüren özel katkı maddeli PN diyotlardır.
Bu diyotlara, aşağıda yazılmış olduğu gibi, İngilizce adındaki kelimelerin ilk harfleri bir araya getirilerek LED (Light Emitting Diode; Işık yayan diyot) veya SSL (Solid State Lamps; Katı hal lambası) denir.
Özellikleri
- Çalışma gerilimi 1,5 - 2,5 V arasındadır. (Kataloğunda belirtilmiştir.)
- Çalışma akımı 10 - 20 mA arasındadır. (Kataloğunda belirtilmiştir.)
- Uzun ömürlüdür. (ortalama 100.000 - 200.000 saat)
- Darbeye ve titreşime karşı dayanıklıdır.
- Kullanılacağı yere göre çubuk şeklinde veya dairesel yapılabilir.
- Çalışma zamanı çok kısadır. (nanosaniye)
- Diğer diyotlara göre doğru yöndeki direnci çok daha küçüktür.
- Işık yayan diyotların gövdeleri tamamen plastikten yapıldığı gibi, ışık çıkan kısmı optik mercek, diğer kısımları metal olarak da yapılır.
Bir LED 'in üretimi sırasında kullanılan değişik katkı maddesine göre verdiği ışığın rengi değişmektedir.
Katkı maddesinin cinsine göre şu ışıklar oluşur:
- GaAs (Galliyum Arsenid): Kırmızı ötesi (görülmeyen ışık)
- GaAsP (Galliyum Arsenid Fosfat): Kırmızıdan - yeşile kadar (görülür)
- GaP (Galliyum Fosfat): Kırmızı (görülür)
- GaP (Nitrojenli): Yeşil ve sarı (görülür)
Diyot kristali, iki parçalı yapıldığında uygulanacak gerilimin büyüklüğüne göre kırmızı, yeşil veya sarı renklerden birini vermektedir.
Işık yayan diyot ısındıkça, ışık yayma özelliği azalmaktadır. Bu hal etkinlik eğrisi olarak gösterilmiştir. Bazı hallerde fazla ısınmayı önlemek için bir soğutucu üzerine monte edilir.
Ayrıca LED'in aşırı ısınmasına yol açmamak için kataloğunda belirtilen akımı aşmamak gerekir. Bunun için gösterilmiş olduğu gibi devresine seri olarak bir R direnci konur. Bu direncin büyüklüğü LED'in dayanma gerilimi ile besleme kaynağı gerilimine göre hesaplanır.
göre: 9=I*R+2 'dir. I=0,05 A olup
R=9-2/0,05 = 7/0,05 = 140 Ohm olarak bulunur.
140 Ohm'luk standart direnç olmadığından en yakın standart üst direnci olan 150 Ohm'luk direnç kullanılır.
Diğer Diyotlar
Mikrodalga Diyotları
Mikrodalga frekansları; uzay haberleşmesi, kıtalar arası televizyon yayını, radar, tıp, endüstri gibi çok geniş kullanım alanları vardır. Giga Hertz (GHz) mertebesindeki frekanslardır.
Mikro dalga diyotlarının ortak özelliği; Çok yüksek frekanslarda dahi, yani devre akımının çok hızlı yön değiştirmesi durumunda da bir yönde küçük direnç gösterecek hıza sahip olmasıdır.
Mikrodalga bölgelerinde kullanılabilen başlıca diyotlar şunlardır: Gunn (Gan) diyotları Impatt (Avalanş) diyotları Baritt (Schottky)(Şotki) diyotları Ani toparlanmalı diyotlar P-I-N diyotları.
Gunn Diyotları
İlk defa 1963 'te J.B. Gunn tarafından yapıldığı için bu ad verilmiştir. Gunn diyodu bir osilatör elemanı olarak kullanılmaktadır.
Yapısı, n-tipi Galliyum arsenid (GaAs) veya İndiyum fosfat (InP) 'den yapılacak ince çubukların kısa kısa kesilmesiyle elde edilir.
Gunn diyoda gerilim uygulandığında, gerilimin belirli bir değerinden sonra diyot belirli bir zaman için akım geçirip belirli bir zamanda kesimde kalmaktadır. Böylece bir osilasyon oluşmaktadır.
Örnek: 10 µm boyundaki bir gunn diyodunun osilasyon periyodu yaklaşık 0,1 nanosaniye tutar. Yani osilasyon frekansı 10 GHz 'dir.
Impatt (Avalans) Diyot
Impatt veya avalanş (çığ) diyotlar, gunn diyotlara göre daha güçlüdürler ve çalışma gerilimi daha büyüktür. Mikrodalga sistemlerinin osilatör ve güç katlarında yararlanılır.
1958 'de Read (Rid) tarafından geliştirilmiştir.Bu nedenle Read diyodu da denir. P+ - N - I - N+ veya N+ - P - I - P+ yapıya sahiptir. Ters polarmalı olarak çalışır.
Yapımında ana elemanlar olarak Slikon ve Galliyum arsenid (GaAs) kullanılır. Diyot içerisindeki P+ ve N+ tipi kristaller, içerisindeki katkı maddeleri normal haldekinden çok daha fazla olan P ve N kristalleridir.
"I" tabakası ise iyonlaşmanın olmadığı bir bölgedir. Taşıyıcılar buradan sürüklenerek geçer ve etrafına enerji
Baritt (Schottky) Diyot
Baritt diyotlar da nokta temaslı diyotlar gibi metal ve yarı iletken kristalinin birleştirilmesi ile elde edilmektedir. Ancak bunlar jonksiyon diyot tipindedir. Değme düzeyi (jonksiyon) direnci çok küçük olduğundan doğru yön beslemesinde 0,25 Volt'ta dahi kolaylıkla ve hızla iletim sağlamaktadır. Ters yöne doğru akan azınlık taşıyıcıları çok az olduğundan ters yön akımı küçüktür. Bu nedenle de gürültü seviyeleri düşük ve verimleri yüksektir.
Farklı iki ayrı gruptaki elemandan oluşması nedeniyle baritt diyotların dirençleri (lineer) değildir.
Dirençlerin düzgün olmaması nedeniyle daha çok mikrodalga alıcılarında karıştırıcı olarak kullanılır. Ayrıca, modülatör, demodülatör, detektör olarak da yararlanılır.
Ani Toparlamalı Diyot
Ani toparlanmalı (Step-Recovery) diyotlar varaktör diyotların daha da geliştirilmişlerdir. Varaktör diyotlar ile frekansların iki ve üç kat büyütülmeleri mümkün olabildiği halde, ani toparlanmalı diyotlar ile 4 ve daha fazla katları elde edilebilmektedir.
Pin Diyot
P-I-N diyotları P+-I-N+ yapıya sahip diyotlardır. P+ ve N+ bölgelerinin katkı maddesi oranları yüksek ve I bölgesi büyük dirençlidir.
Alçak frekanslarda diyot bir P-N doğrultucu gibi çalışır. Frekans yükseldikçe I bölgesi de etkinliğini gösterir. Yüksek frekanslarda I bölgesinin doğru yöndeki direnci küçük ters yöndeki direnci ise büyüktür.
Diyodun direnci uygulama yerine göre iki limit arasında sürekli olarak veya kademeli olarak değiştirilebilmektedir.
P-I-N diyotlar değişken dirençli eleman olarak, mikrodalga devrelerinde, zayıflatıcı, faz kaydırıcı, modülatör, anahtar, limitör gibi çeşitli amaçlar için kullanılmaktadır.
Büyük Güçlü Diyotlar
2W 'ın üzerindeki diyotlar Büyük Güçlü Diyotlar olarak tanımlanır. Bu tür diyotlar, büyük değerli Doğru akıma (DA, DC ya da sürekli akım) ihtiyaç duyulan galvano-plasti, ark kaynakları gibi devrelere ait doğrultucular da kullanılmaktadır.
Kaynakça
- ^ . 15 Ocak 2020 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 2 Nisan 2020.
wikipedia, wiki, viki, vikipedia, oku, kitap, kütüphane, kütübhane, ara, ara bul, bul, herşey, ne arasanız burada,hikayeler, makale, kitaplar, öğren, wiki, bilgi, tarih, yukle, izle, telefon için, turk, türk, türkçe, turkce, nasıl yapılır, ne demek, nasıl, yapmak, yapılır, indir, ücretsiz, ücretsiz indir, bedava, bedava indir, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, resim, müzik, şarkı, film, film, oyun, oyunlar, mobil, cep telefonu, telefon, android, ios, apple, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, pc, web, computer, bilgisayar
Diyot yalnizca bir yonde akim geciren devre elemanidir Bir yondeki direncleri ihmal edilebilecek kadar kucuk obur yondeki direncleri ise cok buyuk olan elemanlardir Cesitli Diyotlar En altta gorulen Kopru diyot Direncin kucuk oldugu yone dogru yon veya iletim yonu buyuk oldugu yone ters yon veya tikama yonu denir Diyot sembolu akim gecis yonunu gosteren bir ok seklindedir Ayrica diyodun uclari pozitif ve negatif isaretleri ile de belirlenir uca anot uca katot denir Diyodun anoduna gerilim kaynaginin pozitif kutbu katoduna kaynagin negatif kutbu gelecek sekilde gerilim uygulandiginda diyot iletime gecer Diyot Akimi FormuluDiyot Akim Formulu I I0 eqVnkT 1 displaystyle I I 0 e frac qV nkT 1 Bu formulde I Diyot akimi I0 Ters polarmada sizinti akimi V Diyot uclarindaki polarma gerilimi Q Elektron sarj miktari Coulomb T pn birlesim sicakligi K K Boltzman sabiti ŋ Metale bagimli bir sabit Ge 1 Si 2 CesitleriZener diyot Isik Yayan Diyot LED Foto diyot Ayarlanabilir Kapasiteli Diyot Varaktor Mikrodalga diyot IMPATT diyot Avalans Baritt Diyot Ani Toparlanmali Diyot Pin Diyot Diyotlar baslica uc ana gruba ayrilir Lamba diyotlar Metal diyotlar Yari iletken diyotlarLamba Diyotlar Lamba diyotlar en yaygin bicimde redresor ve detektor olarak kullanilmistir Sicak katotlu lamba civa buharli ve tungar lambalar bu gruptandir Isinan katotdan firlayan elektronlar atom tarafindan cekilmekte ve devreden tek yonlu bir akim akisi saglanmaktadir Eskiden kalanlarin disinda bu tur diyotlar artik kullanilmamaktadir Metal Diyotlar Bakir oksit Cu2O ve selenyumlu diyotlar bu gruba girmektedirler Bakir oksitli diyotlar olcu aletleri ve telekomunikasyon devreleri gibi kucuk gerilim ve kucuk gucle calisan devrelerde selenyum diyotlar ise birkac kilowatt a kadar cikan guclu devrelerde kullanilirlar Yari Iletken Diyotlar Yari iletken diyotlari p tipi ve n tipi germanyum veya silisyum yari iletken kristallerinin bazi islemler uygulanarak bir araya getirilmesiyle elde edilen diyotlardir Hem elektrikte hem de elektronikte kullanilmaktadir tipik bir ornek olarak kuvvetli akimda kullanilan bir silikon diyot verilmistir p tipinde delikler cogunluk tasiyicisi elektronlar azinlik tasiyicisidir Tersi olarak da n tipinde serbest elektronlar cogunluk tasiyici delikler azinlik tasiyicisidir YapilariKristal Diyot Nokta temasli diyot elektronik alaninda ilk kullanilan diyottur 1900 1940 tarihleri arasinda ozellikle radyo alaninda kullanilan galenli ve pritli detektorler kristal diyotlarin ilk ornekleridir Galen veya prit kristali uzerinde gezdirilen ince fosfor bronz tel ile degisik istasyonlar bulunabiliyordu Gunluk hayatta bunlara kristal detektor veya diger adiyla kristal diyot denmistir Nokta temasli germanyum veya silikon diyotlar gelistirilmistir Germanyum veya silisyum nokta temasli diyodun esasi 0 5 mm capinda ve 0 2 mm kalinligindaki n tipi kristal parcacigi ile fosfor bronz veya berilyum bakir bir telin temasini saglamaktan ibarettir Bu tur diyotta n tipi kristale noktasal olarak buyuk bir pozitif gerilim uygulanir Pozitif gerilim temas noktasindaki bir kisim kovalan bagi kirarak elektronlari alir Boylece cok kucuk capta bir p tipi kristal ve dolayisiyla da PN diyot olusur Bu olusum sekil 3 12 b de gosterilmistir Bugun nokta temasli diyotlarin yerini her ne kadar jonksiyon diyotlar almis ise de yine de elektrotlari arasindaki kapasitenin cok kucuk olmasi nedeniyle yuksek frekansli devrelerde kullanilma alanlari bulunmaktadir Ters yon dayanma gerilimleri dusuk olup dikkatli kullanilmasi gerekir Boyle bir diyodun elektrotlar arasi kapasitesi 1 pF in altina kadar dusmektedir Dolayisiyla yuksek frekanslar icin diger diyotlara gore daha uygun olmaktadir Nokta temasli diyotlarin kullanim alanlari Nokta temasli en cok televizyon video dedeksiyonunda ise radyofrekans olcu aletlerinde voltmetre rediktor vs kullanilir Zener diyot Voltajin sabitlenmesine yarayan bir diyottur Devreye ters polarize edilir Mesela 5 6 V degerinde bir zenerin uclarinda ters polarizasyon 10 V luk gerilim olusursa 4 4 Voltu uzerinden gecirir Uclarindan 5 6 V alinabilir Tunel Diyot Tunel diyotlar ozellikle mikro dalga alaninda yukseltec ve osilator olarak yararlanilmak uzere uretilmektedir Tunel diyoda esaslarini 1958 de ilk ortaya koyan Japon Dr nin adindan esinlenerek dan denmektedir P N birlesme yuzeyi cok ince olup kucuk gerilim uygulamalarinda bile cok hizli ve yogun bir elektron gecisi saglanmaktadir Bu nedenledir ki 10 000 MHz e kadarki cok yuksek frekans devrelerinde en cok yukseltec ve osilator elemani olarak kullanilir Tunel diyoda uygulanan gerilim Vt1 degerine gelinceye kadar gerilim buyudukce akim da artiyor Gerilim buyumeye devam edince akim A noktasindaki It degerinden dusmeye basliyor Gerilim buyumeye devam ettikce akim B noktasinda bir muddet IV degerinde sabit kalip sonra C noktasina dogru artiyor C noktasi gerilimi Vt2 akimi yine It dir Bu akima Tepe degeri akimi denilmektedir Gerilimi Vt2 degerinden daha fazla arttirmamak gerekir Aksi halde gecen akim It tepe degeri akimini asacagindan diyot bozulacaktir I f V egrisinin A B noktalari arasindaki egimi negatif olup 1 R ile ifade edilmekte ve diyodun bu bolgedeki direnci de negatif direnc olmaktadir Tunel diyot A B bolgesinde calistirilarak negatif direnc ozelliginden yararlanilir Tunel diyodun ustunlukleri Cok yuksek frekansta calisabilir Guc sarfiyati cok dusuktur 1 mW i gecmemektedir Tunel diyodun dezavantajlari Stabil degildir Negatif direncli olmasi nedeniyle kontrolu zordur Arzu edilmeyen isaretlere de kaynaklik yapmaktadir Tunel Diyodun kullanim alanlari Yukseltec olarak Tunel diyot negatif direnci nedeniyle uygun bir baglanti devresinde kaynaktan cekilen akimi arttirmakta dolayisiyla bu akimin harcandigi devredeki gucun yukselmesini saglamaktadir Osilator olarak Tunel diyotlardan MHz 106 Hz mertebesinde osilator olarak yararlanilabilmektedir Bir tunel diyot ile osilasyon saglayabilmek icin negatif direncinin diger rezonans elemanlarinin pozitif direncinden daha buyuk olmasi gerekir Tunel diyoda seri bir rezonans devresi baglanabilecektir Tunel diyodun negatif direnci R 80 Ohm olsun Rezonans devresinin direnci 80 Ohm dan kucuk ise tunel diyot bu devrenin dengesini bozacagindan osilasyon dogacaktir Anahtar Olarak Tunel diyodun onemli fonksiyonlarindan biri de elektronik beyinlerde multivibratorlerde gecikmeli osilatorlerde flip flop devrelerinde ve benzeri elektronik sistemlerde anahtar gorevi yapar Isik Yayan Diyot LED Isik yayan diyotlar dogru yonde gerilim uygulandigi zaman isiyan diger bir deyimle elektriksel enerjiyi isik enerjisi haline donusturen ozel katki maddeli PN diyotlardir Bu diyotlara asagida yazilmis oldugu gibi Ingilizce adindaki kelimelerin ilk harfleri bir araya getirilerek LED Light Emitting Diode Isik yayan diyot veya SSL Solid State Lamps Kati hal lambasi denir Ozellikleri Calisma gerilimi 1 5 2 5 V arasindadir Katalogunda belirtilmistir Calisma akimi 10 20 mA arasindadir Katalogunda belirtilmistir Uzun omurludur ortalama 100 000 200 000 saat Darbeye ve titresime karsi dayaniklidir Kullanilacagi yere gore cubuk seklinde veya dairesel yapilabilir Calisma zamani cok kisadir nanosaniye Diger diyotlara gore dogru yondeki direnci cok daha kucuktur Isik yayan diyotlarin govdeleri tamamen plastikten yapildigi gibi isik cikan kismi optik mercek diger kisimlari metal olarak da yapilir Bir LED in uretimi sirasinda kullanilan degisik katki maddesine gore verdigi isigin rengi degismektedir Katki maddesinin cinsine gore su isiklar olusur GaAs Galliyum Arsenid Kirmizi otesi gorulmeyen isik GaAsP Galliyum Arsenid Fosfat Kirmizidan yesile kadar gorulur GaP Galliyum Fosfat Kirmizi gorulur GaP Nitrojenli Yesil ve sari gorulur Diyot kristali iki parcali yapildiginda uygulanacak gerilimin buyuklugune gore kirmizi yesil veya sari renklerden birini vermektedir Isik yayan diyot isindikca isik yayma ozelligi azalmaktadir Bu hal etkinlik egrisi olarak gosterilmistir Bazi hallerde fazla isinmayi onlemek icin bir sogutucu uzerine monte edilir Ayrica LED in asiri isinmasina yol acmamak icin katalogunda belirtilen akimi asmamak gerekir Bunun icin gosterilmis oldugu gibi devresine seri olarak bir R direnci konur Bu direncin buyuklugu LED in dayanma gerilimi ile besleme kaynagi gerilimine gore hesaplanir gore 9 I R 2 dir I 0 05 A olup R 9 2 0 05 7 0 05 140 Ohm olarak bulunur 140 Ohm luk standart direnc olmadigindan en yakin standart ust direnci olan 150 Ohm luk direnc kullanilir Diger Diyotlar Mikrodalga Diyotlari Mikrodalga frekanslari uzay haberlesmesi kitalar arasi televizyon yayini radar tip endustri gibi cok genis kullanim alanlari vardir Giga Hertz GHz mertebesindeki frekanslardir Mikro dalga diyotlarinin ortak ozelligi Cok yuksek frekanslarda dahi yani devre akiminin cok hizli yon degistirmesi durumunda da bir yonde kucuk direnc gosterecek hiza sahip olmasidir Mikrodalga bolgelerinde kullanilabilen baslica diyotlar sunlardir Gunn Gan diyotlari Impatt Avalans diyotlari Baritt Schottky Sotki diyotlari Ani toparlanmali diyotlar P I N diyotlari Gunn Diyotlari Ilk defa 1963 te J B Gunn tarafindan yapildigi icin bu ad verilmistir Gunn diyodu bir osilator elemani olarak kullanilmaktadir Yapisi n tipi Galliyum arsenid GaAs veya Indiyum fosfat InP den yapilacak ince cubuklarin kisa kisa kesilmesiyle elde edilir Gunn diyoda gerilim uygulandiginda gerilimin belirli bir degerinden sonra diyot belirli bir zaman icin akim gecirip belirli bir zamanda kesimde kalmaktadir Boylece bir osilasyon olusmaktadir Ornek 10 µm boyundaki bir gunn diyodunun osilasyon periyodu yaklasik 0 1 nanosaniye tutar Yani osilasyon frekansi 10 GHz dir Impatt Avalans Diyot Impatt veya avalans cig diyotlar gunn diyotlara gore daha gucludurler ve calisma gerilimi daha buyuktur Mikrodalga sistemlerinin osilator ve guc katlarinda yararlanilir 1958 de Read Rid tarafindan gelistirilmistir Bu nedenle Read diyodu da denir P N I N veya N P I P yapiya sahiptir Ters polarmali olarak calisir Yapiminda ana elemanlar olarak Slikon ve Galliyum arsenid GaAs kullanilir Diyot icerisindeki P ve N tipi kristaller icerisindeki katki maddeleri normal haldekinden cok daha fazla olan P ve N kristalleridir I tabakasi ise iyonlasmanin olmadigi bir bolgedir Tasiyicilar buradan suruklenerek gecer ve etrafina enerji Baritt Schottky Diyot Baritt diyotlar da nokta temasli diyotlar gibi metal ve yari iletken kristalinin birlestirilmesi ile elde edilmektedir Ancak bunlar jonksiyon diyot tipindedir Degme duzeyi jonksiyon direnci cok kucuk oldugundan dogru yon beslemesinde 0 25 Volt ta dahi kolaylikla ve hizla iletim saglamaktadir Ters yone dogru akan azinlik tasiyicilari cok az oldugundan ters yon akimi kucuktur Bu nedenle de gurultu seviyeleri dusuk ve verimleri yuksektir Farkli iki ayri gruptaki elemandan olusmasi nedeniyle baritt diyotlarin direncleri lineer degildir Direnclerin duzgun olmamasi nedeniyle daha cok mikrodalga alicilarinda karistirici olarak kullanilir Ayrica modulator demodulator detektor olarak da yararlanilir Ani Toparlamali Diyot Ani toparlanmali Step Recovery diyotlar varaktor diyotlarin daha da gelistirilmislerdir Varaktor diyotlar ile frekanslarin iki ve uc kat buyutulmeleri mumkun olabildigi halde ani toparlanmali diyotlar ile 4 ve daha fazla katlari elde edilebilmektedir Pin Diyot P I N diyotlari P I N yapiya sahip diyotlardir P ve N bolgelerinin katki maddesi oranlari yuksek ve I bolgesi buyuk direnclidir Alcak frekanslarda diyot bir P N dogrultucu gibi calisir Frekans yukseldikce I bolgesi de etkinligini gosterir Yuksek frekanslarda I bolgesinin dogru yondeki direnci kucuk ters yondeki direnci ise buyuktur Diyodun direnci uygulama yerine gore iki limit arasinda surekli olarak veya kademeli olarak degistirilebilmektedir P I N diyotlar degisken direncli eleman olarak mikrodalga devrelerinde zayiflatici faz kaydirici modulator anahtar limitor gibi cesitli amaclar icin kullanilmaktadir Buyuk Guclu Diyotlar 2W in uzerindeki diyotlar Buyuk Guclu Diyotlar olarak tanimlanir Bu tur diyotlar buyuk degerli Dogru akima DA DC ya da surekli akim ihtiyac duyulan galvano plasti ark kaynaklari gibi devrelere ait dogrultucular da kullanilmaktadir Kaynakca 15 Ocak 2020 tarihinde kaynagindan arsivlendi Erisim tarihi 2 Nisan 2020