Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
İyon yerleştirmesi bir materyal mühendisliği süreci olup, bir materyalin iyonlarının bir elektrik alan içerisinde ivmelendirilip bir katı içerisine gömülmesi işlemidir. Bu süreç bir katının fiziksel, kimyasal veya elektriksel özelliklerini değiştirmek için kullanılır. İyon yerleştirmesi materyal bilim araştırmalarının, yarı iletken cihaz fabrikasyonu ve metal bitirme gibi değişik uygulamalarında kullanılır. İyonlar, hedefin elementel kompozisyonundan sonra, eğer iyonlar hedeften olan kompozisyondan farklıysa, hedefin içerisinde durur ve orada kalırlar. Ayrıca enerjilerini ve momentumlarını hedef objenin elektronlarına ve atomik çekirdeğine aktararak birçok fiziksel ve kimyasal değişikliğe de sebep olabilirler. Bu, art arda olan enerjitik çarpışmalarda hedefin kristal yapı içerisindeki yapısı hasar görebilir veya yok olabilir, bu da yapısal değişikliğe sebep olur. İyonların hedef atomlara yakın kütleleri olduğu için hedef atomlara, elektron ışınlarının yaptığından daha fazla miktarda bir dışa vuruş yaparlar. Eğer iyon enerjisi aşmaya yeterli miktarda yüksekse (genellikle MeV’nin onlarcası kadar), o zaman burada küçük miktarda bir nükleer değiştirilme bile olabilir.
Genel prensip
İyon yerleştirmesi araçları genelde iyonların arzu ettiği elementte üretildikleri bir iyon kaynağından, iyonların elektrostatik bir şekilde yüksek enerjiye ivmelendirildikleri bir hızlandırıcıdan ve iyonların, üzerine yerleştirilecekleri materyalin üzerine gömüldükleri bir hedef çemberinden oluşur. Bu sebeple iyon yerleştirmesi, parçacık radyasyonunun özel bir durumudur. Her bir iyon tipik olarak tek bir atom veya moleküldür. Bu sebepten dolayı hedef üzerine yerleştirilen materyalin gerçek miktar iyon akımının zaman üzerindeki integralidir. Bu miktara doz denir. Yerleştirenler tarafından sağlanan akımlar tipik olarak küçüklerdir (mikroamper) ve bu sebeple birim zamanda yerleştirilebilen doz miktarı azdır. Bu sebepten dolayı, iyon yerleştirmesi kimyasal değişim miktarının az olması gereken yerlerde uygulanır.
Tipik iyon enerjileri 10-500 keV (1,600 to 80,000 aJ) aralığındadır. 1-10 keV (160 to 1,600 aJ) aralığındaki enerjiler de kullanılabilir fakat sadece birkaç nanometre veya daha az oranda bir delinmeyle sonuçlanır. Bu sonuçtan daha düşük enerjiler, hedefe çok az zarar verir ve klasmanına düşerler. Yüksek enerjiler de kullanılabilir: 5 MeV (800,000 aJ) gücünde hızlandırıcılar mevcuttur. Fakat genelde hedefe çok büyük yapısal hasar verirler ve derinlik dağılımı geniş olduğu için (), hedefin herhangi bir noktasındaki net kompozisyon değişimi küçük olacaktır.
İyon türü ve hedefin türü kadar iyonların enerjisi de bu iyonların katının içerisine ne kadar girebileceğini belirler: Bir monoenerjitik iyon ışını genelde geniş bir derinlik dağılımına sahiptir. Ortalama delme derinliğine iyonların menzili denir. Tipik şartlar altında iyon menzili 1-10 nanometre arasıdır. Bu yüzden iyon yerleştirmesi, özellikle kimyasal veya yapısal değişimin, hedefin yüzeyinde olduğu durumlarda çok kullanışlıdır. İyonlar katı içerisinde hareket ettikçe, hem hedef atomlarla olan çarpışmaları (belirli oranda enerjilerini kaybederler ) hem de sürekli bir süreç olan elektron orbitallerinin hafif çekme üst üste gelmesinden dolayı enerji kaybederler. Hedefteki iyon enerji kaybına denir ve ile canlandırılır.
İyon yerleştirmesi için olan hızlandırıcı sistemleri genelde şöyle sınıflandırılır:
- Orta derece akım-iyon ışını şiddeti 10 μA ve ~2 mA arasıdır.
- Yüksek derece akım- iyon ışını akımı ~30 mA’e kadardır
- Yüksek enerji-iyon enerjileri 200 keV ve 10 MeV arasıdır.
- Çok yüksek dozda etkili implant dozu 1016 iyon/cm²’den daha fazladır.
İyon yerleştirmesi ışın dizaynlarının tüm çeşitleri fonksiyonel bileşenlerin genel gruplarını içerir (resme bakınız). İyon ışın yolunun ilk önemli sekmesi - iyon kaynağı denilen ve iyon türlerini üreten bir cihaz vardır. Kaynak, iyonların ışın çizgisine çıkarılmaları için etkilenmiş elektrotlarla yakınca eşleştirilmiş ve çoğunlukla da belirli bir iyon sütü ana hızlandırma kısmı için taşıyıcı olarak seçilir. “Kütle” seçimi genellikle manyetik alan bölgesi içerisinden çıkartılan iyon ışını pasajıyla ve yolu kapatan birkaç cisim veya “yarık” denilen ve sadece belirli kütle, hız/yük bakımına kesin bir değerde olan iyonların devam etmesine izin verilir ve diğerlerinin çıkış yolu kesilir. Eğer hedef yüzey iyon ışını çapından büyükse ve yerleştirilen dozun eşit miktardaki dağılışı eğer hedef yüzeyde istenilen düzeydeyse, o zaman ışın tarayan kombinasyonlar ve wafer hareketi kullanılır. Son olarak, yerleştirilmiş yüzey birikmiş yükleri toplamada kullanılan bir metotla eşlenir ve bu sayede iletilen doz sürekli bir şekilde incelenir ve yerleştirme süreci istenilen doz düzeyinde sona erer.
Yarıiletken cihaz fabrikasyonunda uygulamalar
Doping
Yarı iletkenlerdeki katkılayıcılara giriş iyon yerleştirmesinin en bilinen uygulamasıdır. Boron, fosfenik ve arsenik gibi katkılayıcı iyonları bir gaz kaynağından oluşur, bu sayede kaynağın saflığı çok yüksek olabilir. Bu gazların çok zehirleyici olmaya eğilimleri vardır. Bir yarı iletken içerisinde yerleştirildiği zaman, her bir katkılayıcı atom, yarıiletken içerisinde sonra bir yük kariyeri oluşturabilir. katkılayıcılar için bir delik ve katkılayıcılar için de bir elektron oluşturulabilir. Bu, yarı iletkenin çevresi içerisindeki iletkenliği modifiye eder. Bu teknik, örneğin bir MOSFET’in eşiğini ayarlamak için kullanılır. İyon yerleştirmesi bir metot olarak, ftovoltaik cihazların p-n birleşme yerlerini üretmek için 1970'lerin sonlarında ve 1980’lerin başlarında, reklamsal üretim için kullanılmamış olmasında rağmen sürekli sertleştirme için olan nabızsal- elektron ışını olarak geliştirilmiştir.
Yalıtkan üzerindeki silikon
Bir iletken üzerinde silikon hazırlamak için öne çıkan bir yöntem (SOI), geleneksel silikon alt katmanlarından gelen ve yüksek sıcaklıkta sertleştirme sürecinde, içerisinde gömülmüş yüksek dozda oksijen yerleşkesinin silikon okside dönüştürüldüğü SIMOX (Oksijenin yerleştirme sayesindeki ayrımı) sürecidir.
Mezotaksi
Mezotaksi, ev sahibi kristalin (bir alt katmanın yüzeyindeki eşleşen fazın büyümesi olan kıyasla) altında yatan, kristaljeografik olarak eşleşen fazının büyümesi için kullanılan terimdir. Bu süreçte, iyonlar bir materyalin içerisinde yeterince yüksek enerjide ve dozda, ikici fazda bir katman yapmak için yerleştirilir ve sıcaklık da hedefin kristal yapışının parçalanmaması için kontrol edilir. Katmanın kristal oryantasyonun hedefinkiyle eşleşmesi için, gerçek kristal yapı ve latis sabiti farklı olsa bile, bir çalışma yapılabilir. Örneğin, nikel iyonlarının silikon waferına yerleştirilmesinden sonra, nikel silikidin bir katmanı silisidin kristal oryantasyonunun silikonunkiyle eşleştiği yerde gelişebilir.
Metal bitirmedeki uygulaması
Çelik araç sertleştirilmesi
Nitrojen ve başka iyonlar, hedef çelik aletler (matkap bitleri gibi) içerisine yerleştirilebilirler. Yerleştirme sonuçlu yapısal değişim, çelik içerisinde yüzey basıncı oluşturur, bu çatlak propogasyonunu engeller ve bu sebepten dolayı materyali kırıklara dayanıklı hale getirir. Kimyasal değişim aynı zamanda aleti aşınmaya da daha dayanıklı hale getirebilir.
Yüzey bitirme
Bazı uygulamalarda, mesela yapay mafsal prostetik cihazlar gibi, kimyasal aşınmaya veya sürtünme kaynaklı oluşumlara karşı dayanıklı yüzeylere sahip olunması istenmektedir. İyon yerleştirmesi, bazı cihazların daha güvenilir performanslar göstermesi i.in yüzeylerinin yapılmasında kullanılır. Çelik aletler durumundaki gibi, iyon yerleştirmesi kaynaklı yüzey modifikasyonu hem çatlak yayılımını önlemek için olan yüzey kompresyonu hem de yüzeyin kimyasal aşınmaya daha dayanıklı hale gelmesi için alaşımlanmasını içerir. .
Başka uygulamalar
İyon ışını karıştırması
İyon yerleştirmesi, işlemi için kullanılabilir, ör: bir interfazda değişik elementlerin atomlarını karıştırma. Bu, derecelendirilmiş interfazlara ulaşmada veya birbirine karışmayan materyallerin yüzeyleri arasındaki adezyonu güçlendirmek için kullanılabilir.
İyon yerleştirmesi ile ilgili problemler
Kristalografik hasar
Her bir iyon, hedef kristalde boşluk ve çatlak gibi birçok nokta bozukluğuna sebep olabilir. Boşluklar, bir atom tarafından doldurulmamış kristal latis noktalarıdır bu durumda iyon, hedef bir atom ile çarpışır ve bu, çok miktarda enerjinin hedef atoma aktarılmasına ve kristal yüzeyi terk etmesine sebep olur. Bu hedef atom katı içerisinde başlı başına bir projektil olur ve başarılı çarpışma olaylarına sebeptir. Çatlaklar böyle atomlar (ya da orijinal iyonun kendisi) katı içerisinde dinlenmeye geldiği zaman olur, fakat latis içerisinde duracak bir boşuk bulamaz. Bu nokta sonuçları birbirleriyle kümeleşip göç edebilirler ve bu, dislokasyon döngüsü ve başka bozukluklarla sonuçlanır.
Hasar iyileşmesi
İyon yerleştirmesi genellikle istenmeyen hedefin kristal yapısına zarar verdiği için, bu süreç genellikle termal sertleştirme ile birlikte yapılır. Bu, hasar iyileşmesi ile ilişkilendirilebilir.
Amorfizasyon
Kristalografik hasar miktarı, hedefin yüzeyini tamamen amorfize etmek için yeterli olabilir: örneğin biçimsiz bir katı haline (mesela bir eriyikten oluşan katıya cam denir) dönüşebilir. Bazı durumlarda, bir hedefin tam amorfizasyonu yüksek miktarda kusurlu olan bir kristale tercih edilebilir: Amorfize olmuş bir film, yüksek miktarda hasar görmüş bir kristali sertleştirmek için gerekli sıcaklıktan daha düşük bir sıcaklıkta tekrar büyüyebilir.
Püskürtme
Bazı çarpışma olayları atomların yüzeyden atılımına (püskürtülmesine) ve bu sebeple iyon yerleştirmesinin yüzeyi yavaşça oymasına sebep olur. Bu etki ancak çok büyük dozlarda fark edilebilir.
İyon kanal oluşumu
Eğer hedefe bir kristalografik bir yapı varsa ve özellikle kristal yapının daha açık olduğu bir yarıiletken substratlarında, kısmi kristalografik yönler başka yönlerden ziyade daha düşük durma önerirler. Sonuç olarak bir iyonun menzili eğer bu iyon belirli bir yönde ilerliyorsa, örneğin silikonun <110> yönü ve başka materyaller gibi, daha uzun olabilir. Bu efekte iyon denir ve bütün kanallaştırma etkileri gibi çok yüksek oranda, lineer olmayandır. Bu nedenden dolayı birçok yerleştirme eksenden dışarı birkaç derece taşınır ve burada küçük hizasal hataların daha tahmin edilebilir etkileri olur. İyon kanallaştırması direkt olarak ve alakalı tekniklerde, ince kristal materyallerine gelen derinlik zararlarının profillerini saptamada analitik bir metot olarak kullanılabilir.
Tehlikeli materyal notları
Waferlerin yarı iletken iyon yerleştirmesi fabrikasyonu süreci içerisinde, işçilerin iyon yerleştirme süresinde kullanılan zehirli materyalin etkisini en aza indirmesi önemlidir. Böyle tehlikeli elementler, katı kaynaklar, Arsin gazı ve fosfin gibi gazlar kullanılır. Bu sebepten dolayı, yarı iletken fabrikasyonu şirketleri yüksek derecede otomatikleştirilmiştir ve negatif basınçlı gaz şişelerinin güvenli iletim sistemlerini oluşturmuşlarıdır (SDS). Başka elementler antimon, arsenik, fosfor ve bor içerebilir. Bu elementlerin tortusu makineler atmosfere açıldığında ortaya çıkar ve vakum pompası sistemlerinde birikebilir ve bulunabilirler. Kendinizi bu karniyogenik, aşındırıcı, yanıcı ve zehirli elementlere maruz bırakmamanız önemlidir. Birçok güvenlik protokolü bu gibi elementleri tutarken kullanılmalıdır.
Yüksek voltaj güvenliği
İyon yerleştirme ekipmanı içerisindeki yüksek voltaj enerji kaynağı elektrokusyonun bir riski olabilir. Buna ek olarak, yüksek enerjili atom çarpışmaları X-ray ve bazı durumlarda başka iyonize eden radyasyon ve radyo çekirdekleri üretebilir. Operatörler ve koruyucu personel, cihazdan sorumludur.
wikipedia, wiki, viki, vikipedia, oku, kitap, kütüphane, kütübhane, ara, ara bul, bul, herşey, ne arasanız burada,hikayeler, makale, kitaplar, öğren, wiki, bilgi, tarih, yukle, izle, telefon için, turk, türk, türkçe, turkce, nasıl yapılır, ne demek, nasıl, yapmak, yapılır, indir, ücretsiz, ücretsiz indir, bedava, bedava indir, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, resim, müzik, şarkı, film, film, oyun, oyunlar, mobil, cep telefonu, telefon, android, ios, apple, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, pc, web, computer, bilgisayar
Iyon yerlestirmesi bir materyal muhendisligi sureci olup bir materyalin iyonlarinin bir elektrik alan icerisinde ivmelendirilip bir kati icerisine gomulmesi islemidir Bu surec bir katinin fiziksel kimyasal veya elektriksel ozelliklerini degistirmek icin kullanilir Iyon yerlestirmesi materyal bilim arastirmalarinin yari iletken cihaz fabrikasyonu ve metal bitirme gibi degisik uygulamalarinda kullanilir Iyonlar hedefin elementel kompozisyonundan sonra eger iyonlar hedeften olan kompozisyondan farkliysa hedefin icerisinde durur ve orada kalirlar Ayrica enerjilerini ve momentumlarini hedef objenin elektronlarina ve atomik cekirdegine aktararak bircok fiziksel ve kimyasal degisiklige de sebep olabilirler Bu art arda olan enerjitik carpismalarda hedefin kristal yapi icerisindeki yapisi hasar gorebilir veya yok olabilir bu da yapisal degisiklige sebep olur Iyonlarin hedef atomlara yakin kutleleri oldugu icin hedef atomlara elektron isinlarinin yaptigindan daha fazla miktarda bir disa vurus yaparlar Eger iyon enerjisi asmaya yeterli miktarda yuksekse genellikle MeV nin onlarcasi kadar o zaman burada kucuk miktarda bir nukleer degistirilme bile olabilir Toulouse Fransa daki LAAS teknolojik kurulusundaki bir iyon yerlestirme sistemi Genel prensipKutle ayristiricili iyon yerlestirme sistemi Iyon yerlestirmesi araclari genelde iyonlarin arzu ettigi elementte uretildikleri bir iyon kaynagindan iyonlarin elektrostatik bir sekilde yuksek enerjiye ivmelendirildikleri bir hizlandiricidan ve iyonlarin uzerine yerlestirilecekleri materyalin uzerine gomuldukleri bir hedef cemberinden olusur Bu sebeple iyon yerlestirmesi parcacik radyasyonunun ozel bir durumudur Her bir iyon tipik olarak tek bir atom veya molekuldur Bu sebepten dolayi hedef uzerine yerlestirilen materyalin gercek miktar iyon akiminin zaman uzerindeki integralidir Bu miktara doz denir Yerlestirenler tarafindan saglanan akimlar tipik olarak kucuklerdir mikroamper ve bu sebeple birim zamanda yerlestirilebilen doz miktari azdir Bu sebepten dolayi iyon yerlestirmesi kimyasal degisim miktarinin az olmasi gereken yerlerde uygulanir Tipik iyon enerjileri 10 500 keV 1 600 to 80 000 aJ araligindadir 1 10 keV 160 to 1 600 aJ araligindaki enerjiler de kullanilabilir fakat sadece birkac nanometre veya daha az oranda bir delinmeyle sonuclanir Bu sonuctan daha dusuk enerjiler hedefe cok az zarar verir ve klasmanina duserler Yuksek enerjiler de kullanilabilir 5 MeV 800 000 aJ gucunde hizlandiricilar mevcuttur Fakat genelde hedefe cok buyuk yapisal hasar verirler ve derinlik dagilimi genis oldugu icin hedefin herhangi bir noktasindaki net kompozisyon degisimi kucuk olacaktir Iyon turu ve hedefin turu kadar iyonlarin enerjisi de bu iyonlarin katinin icerisine ne kadar girebilecegini belirler Bir monoenerjitik iyon isini genelde genis bir derinlik dagilimina sahiptir Ortalama delme derinligine iyonlarin menzili denir Tipik sartlar altinda iyon menzili 1 10 nanometre arasidir Bu yuzden iyon yerlestirmesi ozellikle kimyasal veya yapisal degisimin hedefin yuzeyinde oldugu durumlarda cok kullanislidir Iyonlar kati icerisinde hareket ettikce hem hedef atomlarla olan carpismalari belirli oranda enerjilerini kaybederler hem de surekli bir surec olan elektron orbitallerinin hafif cekme ust uste gelmesinden dolayi enerji kaybederler Hedefteki iyon enerji kaybina denir ve ile canlandirilir Iyon yerlestirmesi icin olan hizlandirici sistemleri genelde soyle siniflandirilir Orta derece akim iyon isini siddeti 10 mA ve 2 mA arasidir Yuksek derece akim iyon isini akimi 30 mA e kadardir Yuksek enerji iyon enerjileri 200 keV ve 10 MeV arasidir Cok yuksek dozda etkili implant dozu 1016 iyon cm den daha fazladir Iyon yerlestirmesi isin dizaynlarinin tum cesitleri fonksiyonel bilesenlerin genel gruplarini icerir resme bakiniz Iyon isin yolunun ilk onemli sekmesi iyon kaynagi denilen ve iyon turlerini ureten bir cihaz vardir Kaynak iyonlarin isin cizgisine cikarilmalari icin etkilenmis elektrotlarla yakinca eslestirilmis ve cogunlukla da belirli bir iyon sutu ana hizlandirma kismi icin tasiyici olarak secilir Kutle secimi genellikle manyetik alan bolgesi icerisinden cikartilan iyon isini pasajiyla ve yolu kapatan birkac cisim veya yarik denilen ve sadece belirli kutle hiz yuk bakimina kesin bir degerde olan iyonlarin devam etmesine izin verilir ve digerlerinin cikis yolu kesilir Eger hedef yuzey iyon isini capindan buyukse ve yerlestirilen dozun esit miktardaki dagilisi eger hedef yuzeyde istenilen duzeydeyse o zaman isin tarayan kombinasyonlar ve wafer hareketi kullanilir Son olarak yerlestirilmis yuzey birikmis yukleri toplamada kullanilan bir metotla eslenir ve bu sayede iletilen doz surekli bir sekilde incelenir ve yerlestirme sureci istenilen doz duzeyinde sona erer Yariiletken cihaz fabrikasyonunda uygulamalarDoping Yari iletkenlerdeki katkilayicilara giris iyon yerlestirmesinin en bilinen uygulamasidir Boron fosfenik ve arsenik gibi katkilayici iyonlari bir gaz kaynagindan olusur bu sayede kaynagin safligi cok yuksek olabilir Bu gazlarin cok zehirleyici olmaya egilimleri vardir Bir yari iletken icerisinde yerlestirildigi zaman her bir katkilayici atom yariiletken icerisinde sonra bir yuk kariyeri olusturabilir katkilayicilar icin bir delik ve katkilayicilar icin de bir elektron olusturulabilir Bu yari iletkenin cevresi icerisindeki iletkenligi modifiye eder Bu teknik ornegin bir MOSFET in esigini ayarlamak icin kullanilir Iyon yerlestirmesi bir metot olarak ftovoltaik cihazlarin p n birlesme yerlerini uretmek icin 1970 lerin sonlarinda ve 1980 lerin baslarinda reklamsal uretim icin kullanilmamis olmasinda ragmen surekli sertlestirme icin olan nabizsal elektron isini olarak gelistirilmistir Yalitkan uzerindeki silikon Bir iletken uzerinde silikon hazirlamak icin one cikan bir yontem SOI geleneksel silikon alt katmanlarindan gelen ve yuksek sicaklikta sertlestirme surecinde icerisinde gomulmus yuksek dozda oksijen yerleskesinin silikon okside donusturuldugu SIMOX Oksijenin yerlestirme sayesindeki ayrimi surecidir Mezotaksi Mezotaksi ev sahibi kristalin bir alt katmanin yuzeyindeki eslesen fazin buyumesi olan kiyasla altinda yatan kristaljeografik olarak eslesen fazinin buyumesi icin kullanilan terimdir Bu surecte iyonlar bir materyalin icerisinde yeterince yuksek enerjide ve dozda ikici fazda bir katman yapmak icin yerlestirilir ve sicaklik da hedefin kristal yapisinin parcalanmamasi icin kontrol edilir Katmanin kristal oryantasyonun hedefinkiyle eslesmesi icin gercek kristal yapi ve latis sabiti farkli olsa bile bir calisma yapilabilir Ornegin nikel iyonlarinin silikon waferina yerlestirilmesinden sonra nikel silikidin bir katmani silisidin kristal oryantasyonunun silikonunkiyle eslestigi yerde gelisebilir Metal bitirmedeki uygulamasiCelik arac sertlestirilmesi Nitrojen ve baska iyonlar hedef celik aletler matkap bitleri gibi icerisine yerlestirilebilirler Yerlestirme sonuclu yapisal degisim celik icerisinde yuzey basinci olusturur bu catlak propogasyonunu engeller ve bu sebepten dolayi materyali kiriklara dayanikli hale getirir Kimyasal degisim ayni zamanda aleti asinmaya da daha dayanikli hale getirebilir Yuzey bitirme Bazi uygulamalarda mesela yapay mafsal prostetik cihazlar gibi kimyasal asinmaya veya surtunme kaynakli olusumlara karsi dayanikli yuzeylere sahip olunmasi istenmektedir Iyon yerlestirmesi bazi cihazlarin daha guvenilir performanslar gostermesi i in yuzeylerinin yapilmasinda kullanilir Celik aletler durumundaki gibi iyon yerlestirmesi kaynakli yuzey modifikasyonu hem catlak yayilimini onlemek icin olan yuzey kompresyonu hem de yuzeyin kimyasal asinmaya daha dayanikli hale gelmesi icin alasimlanmasini icerir Baska uygulamalarIyon isini karistirmasi Iyon yerlestirmesi islemi icin kullanilabilir or bir interfazda degisik elementlerin atomlarini karistirma Bu derecelendirilmis interfazlara ulasmada veya birbirine karismayan materyallerin yuzeyleri arasindaki adezyonu guclendirmek icin kullanilabilir Iyon yerlestirmesi ile ilgili problemlerKristalografik hasar Her bir iyon hedef kristalde bosluk ve catlak gibi bircok nokta bozukluguna sebep olabilir Bosluklar bir atom tarafindan doldurulmamis kristal latis noktalaridir bu durumda iyon hedef bir atom ile carpisir ve bu cok miktarda enerjinin hedef atoma aktarilmasina ve kristal yuzeyi terk etmesine sebep olur Bu hedef atom kati icerisinde basli basina bir projektil olur ve basarili carpisma olaylarina sebeptir Catlaklar boyle atomlar ya da orijinal iyonun kendisi kati icerisinde dinlenmeye geldigi zaman olur fakat latis icerisinde duracak bir bosuk bulamaz Bu nokta sonuclari birbirleriyle kumelesip goc edebilirler ve bu dislokasyon dongusu ve baska bozukluklarla sonuclanir Hasar iyilesmesi Iyon yerlestirmesi genellikle istenmeyen hedefin kristal yapisina zarar verdigi icin bu surec genellikle termal sertlestirme ile birlikte yapilir Bu hasar iyilesmesi ile iliskilendirilebilir Amorfizasyon Kristalografik hasar miktari hedefin yuzeyini tamamen amorfize etmek icin yeterli olabilir ornegin bicimsiz bir kati haline mesela bir eriyikten olusan katiya cam denir donusebilir Bazi durumlarda bir hedefin tam amorfizasyonu yuksek miktarda kusurlu olan bir kristale tercih edilebilir Amorfize olmus bir film yuksek miktarda hasar gormus bir kristali sertlestirmek icin gerekli sicakliktan daha dusuk bir sicaklikta tekrar buyuyebilir Puskurtme Bazi carpisma olaylari atomlarin yuzeyden atilimina puskurtulmesine ve bu sebeple iyon yerlestirmesinin yuzeyi yavasca oymasina sebep olur Bu etki ancak cok buyuk dozlarda fark edilebilir Iyon kanal olusumu lt 110 gt yonunden gosterilen ve hegzagonal iyon kanallarini gosteren bir kubik elmas kristali Eger hedefe bir kristalografik bir yapi varsa ve ozellikle kristal yapinin daha acik oldugu bir yariiletken substratlarinda kismi kristalografik yonler baska yonlerden ziyade daha dusuk durma onerirler Sonuc olarak bir iyonun menzili eger bu iyon belirli bir yonde ilerliyorsa ornegin silikonun lt 110 gt yonu ve baska materyaller gibi daha uzun olabilir Bu efekte iyon denir ve butun kanallastirma etkileri gibi cok yuksek oranda lineer olmayandir Bu nedenden dolayi bircok yerlestirme eksenden disari birkac derece tasinir ve burada kucuk hizasal hatalarin daha tahmin edilebilir etkileri olur Iyon kanallastirmasi direkt olarak ve alakali tekniklerde ince kristal materyallerine gelen derinlik zararlarinin profillerini saptamada analitik bir metot olarak kullanilabilir Tehlikeli materyal notlariWaferlerin yari iletken iyon yerlestirmesi fabrikasyonu sureci icerisinde iscilerin iyon yerlestirme suresinde kullanilan zehirli materyalin etkisini en aza indirmesi onemlidir Boyle tehlikeli elementler kati kaynaklar Arsin gazi ve fosfin gibi gazlar kullanilir Bu sebepten dolayi yari iletken fabrikasyonu sirketleri yuksek derecede otomatiklestirilmistir ve negatif basincli gaz siselerinin guvenli iletim sistemlerini olusturmuslaridir SDS Baska elementler antimon arsenik fosfor ve bor icerebilir Bu elementlerin tortusu makineler atmosfere acildiginda ortaya cikar ve vakum pompasi sistemlerinde birikebilir ve bulunabilirler Kendinizi bu karniyogenik asindirici yanici ve zehirli elementlere maruz birakmamaniz onemlidir Bircok guvenlik protokolu bu gibi elementleri tutarken kullanilmalidir Yuksek voltaj guvenligi Iyon yerlestirme ekipmani icerisindeki yuksek voltaj enerji kaynagi elektrokusyonun bir riski olabilir Buna ek olarak yuksek enerjili atom carpismalari X ray ve bazi durumlarda baska iyonize eden radyasyon ve radyo cekirdekleri uretebilir Operatorler ve koruyucu personel cihazdan sorumludur