Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Dinamik Rastgele Erişimli Bellek (Dynamic Random Access Memory), dinamik rastgele erişimli bellek bir tümleşik devre içinde her bir veri bitini ayrı bir kapasitör içinde saklayan Rastgele Erişimli Bellek türüdür. Kapasitörler yapıları gereği bir süre sonra boşalacağından yenileme/tazeleme (refresh) devresine ihtiyaçları vardır. Bu yenileme ihtiyacından dolayı DRAM, SRAM (Statik Rastgele Erişimli Bellek) ve diğer statik belleklerin zıddı durumundadır. DRAM’in SRAM üzerindeki avantajı onun yapısal basitliğidir: 1 bit için 1 transistör ve 1 kapasitör DRAM için yeterliyken SRAM için 6 transistör gerekir. DRAM, yenileme devresinden dolayı çok yer kaplar. Güç kaynağı açık olduğu durumda DRAM ve SRAM sakladığı verileri korur bu nedenle her iki bellek aygıtı da volatiledir. (Güç kaynağı kesildiğinde veriler kaybolur)
Tarihçe
DRAM Dr. tarafından 1966’da IBM Thomas J. Watson Araştırma Merkezi'nde icat edilmiştir ve 1968 yılında patenti alınmıştır. Kapasitörler, Atanasoff-Berry Computer, Willams Tube ve Selectron Tube gibi ilk bellek projelerinde kullanılmıştır.
1969’da ’e kendilerinin geliştirdiği 3-transistör hücre (cell) bulunan DRAM’i üretmesini önerdi. Bunun sonucunda 1970'lerin başlarında Intel 1102 (1024x1) ortaya çıktı. Intel’in ürettiği 1102’nin pek çok sorunu olması Intel’i kendilerinin geliştirdiği tasarımlara yönelmesine neden oldu (bu çalışmalar Honeywell ile anlaşmazlık çıkmaması için gizlice yürütüldü). Bu çalışmalar sonucunda Ekim 1970'te ticari olarak kullanılabilecek 1-transistör hücreli DRAM olan Intel 1103 (1024x1) ortaya çıktı (ilk baştalardaki az gelir sorunu 5. gözden geçirmeye kadar devam etti)
Çalışma prensibi
DRAM genellikle hücre başına 1 kapasitör ve 1 transistörün kare şeklinde dizilmesiyle oluşur. Modern DRAM binlerce hücrenin enine ve boyuna dizilişiyle oluşur. Bir okuma işlemi sırasıyla şu şekilde meydana gelir: Seçilen hücrenin sırası aktif hale getirilir, kapasitör açılır ve o dizinin kapasitörü ile anlamlı satıra bağlanır. Anlamlı satır, saklanan sinyalin 1 mi 0 mı olduğunu ayırt eden anlamlı yükselteçe yönlendirir. Daha sonra uygun sütundaki kuvvetlendirilen değer seçilir ve çıkışa bağlanır. Okuma döngüsünün sonunda satır değerleri mutlaka okuma sırasında boşalan kapasitörde depolanmalıdır. Yazma işlemi satırın aktif hale getirilmesiyle ve değerlerin birbirine bağlanarak anlamlı sıraya yazılırken kapasitörleri istenilen değere yüklenmesini sağlayarak yapılır. Belirli bir hücredeki yazma işlemi sırasında bütün satır okutulur, 1 değer değiştirilir ve ondan sonra bütün satır tekrar yazılır.
Genellikle imalatçılar JEDEC standartlarına göre her satırın her 64 ms veya daha az sürede bir yenilenmesi gerektiğini belirtir. Yenileme mantığı genellikle DRAM’lerle periyodik yenilemeyi otomatikleştirmek için kullanılır. Bu devreyi daha karmaşık hale getirir fakat DRAM’in SRAM’e göre daha ucuz ve daha fazla kapasiteye sahip olması nedeniyle DRAM’i avantajlı kılar. Bazı sistemler her satırı 64 ms’de bir döngü ile yenileme yapar. Başka sistemler ise bir sıra belli bir zamanda –örneğin 213 = 8192 satıra sahip bir sistemin yenileme oranı her bir satır için 7.8 µs (64 ms / 8192 sıra) yapar. Gerçek zamanlı bazı sistemler dış sayaca dayanan bir zamanlama ile hafızanın belli bir kısmını tazeleyerek sistemin geri kalanını yönlendirir, video malzemelerinde her 10-20 ms de meydana gelen düşey boşluk aralığı gibi. Bütün yöntemler belli bir çeşit sayaç içermektedir, bunun nedeni ise bir sonraki turda hangi sıranın yenileneceğini tespit etmektir. Bazı DRAM çipleri bu sayacı içerirken; diğer türler ise bu sayacı tutmak için dış yenileme mantığına ihtiyaç duyar(bazı koşullarda DRAM dakikalarca yenilenmese dahi DRAM’deki verilerin büyük bölümüne yeniden ulaşılabilir).
Hatalar ve Hata Düzeltme
Bilgisayar sistemi içindeki elektriksel veya manyetik parazitlenme bir DRAM bitinin kendiliğinden karşıt duruma dönmesine neden olur. Bazı araştırmalar DRAM yongalarındaki hataların çoğunun kozmik ışınlar yüzünden çıktığını göstermektedir. Bu bir veya daha fazla hafıza hücresinin içeriğini değiştirebilir ya da onları okuyup/yazan devrelere zarar verebilir. DRAM yoğunluğu arttıkça DRAM yongaları üzerindeki bileşenler küçülürken aynı zamanda çalışma voltajları düşeceği için, DRAM yongaları sıklıkla yüksek radyasyona uğrayacaktır. Bu, düşük enerjili parçacıkların hafıza hücresinin durumunu değiştirebileceğinden kaynaklanır. Diğer taraftan küçük hücreler daha küçük hedefler oluştururlar ve teknolojiyi SOI’nin yaptığı daha az duyarlı ve iyi tepki veren veya bunların tam tersi eğilimlere yöneltmiştir.
Bu problem içinde ekstra hafıza biti olan ve bunları kendi için kullanan hafıza kontrolleri olan DRAM’ler kullanılarak hafifletilebilir. Bu ekstra bitler eşlik kaydetmeye veya ECC kullanmaya yarar. Eşlik tek-bitlik hataları bulmayı sağlar. En çok kullanılan hata düzeltme kodu, Hamming Kod, tek bitlik hataları düzeltmeyi ve iki-bitlik hataları bulmayı sağlar.
Bilgisayar sistemlerinde hata bulmak ve düzeltmek bazen moda, bazen demode gözükür. Seymuor Cray neden bunu CDC 6600’dan çıkarttığında “eşlik bizim çiftçimizdir” demiştir. Eşliği CDC 7600’e dâhil ettiğinde söylentiye göre “birçok çiftçinin bilgisayar aldığını öğrendim” demiştir. 486-dönemi PC’lerde genelde eşlik kullanılmıştır. Pentium-döneminden olanlarda ise çoğunlukla yoktu. Daha geniş bellek anayolu eşliği ve ECC’yi alınabilir kılmıştır. Şu anki mikroişlemci hafıza kontrolleri genelde ECC desteklidir ama sunucu-tabanlı olmayan sistemler bu özellikleri kullanmazlar. Kullansalar bile yazılım kısımlarının bunları kullandıkları kesin değildir.
Çoğu modern PC’lerdeki hafıza kontrolleri 64 bitte bir bitlik hatayı bulup düzeltebilir, 64 bitte iki bitlik hatayı da sadece bulabilir. Bazı sistemler hataları verinin doğru olanını hafızaya yeniden yazarak temizler. Bazı bilgisayarlardaki BIOS ve Linux gibi işletim sistemleri bulunan ve düzeltilen hataları bozulmaya başlayan hafıza modüllerini belirleyebilmek ve daha büyük felaketleri önlemek için sayarlar. Maalesef çoğu modern PC eşlik veya ECC’ ye sahip olmayan hafıza modüllerine sahiptir.
Hata bulma ve düzeltme oluşabilecek hataların beklentisine dayanır. Hafıza bitindeki her sözcüğün başarısızlığı birbirinden bağımsızdır ve sonuç olarak iki eşzamanlı hata beklenmez. Bu durum hafıza yongalarının “ bir olduğu zamanlarda geçerliydi. Şu anda aynı yongada birçok bit var. Bu zaaf bir durum dışında genelde ortaya çıkmaz, yonga bozulması. Bir başka mantıklı uygulama ise parmak hesabıdır; ayda gigabayt başına bir bitlik hata beklentisi. Gerçek hata oranları gene ölçüde değişebilir.
Video Ram
VRAM, DRAM’in grafik kartlarında kullanılan çift portlu versiyonudur. VRAM’in, hafıza dizisi için kullanılabilecek, iki yolu ya da portu vardır. İlk port olan DRAM portu, DRAM tarafından erişilebilir. İkinci port; video portu sadece okuma işini yapar ve hızlı akışa sahip veriyi görüntüye aktarır. Video portunu kullanmak için, kontrol birimi öncelikle hafıza dizisinin sırasına göre, görüntülemek için bir seçim yapar ve bu seçim için DRAM portunu kullanır. Daha sonra VRAM bu sırayı içerideki bir kaydırmalı kayıt ediciye kopyalar. Kontrol birimi daha sonra DRAM’i, ekran üzerinde nesneler çizmek için kullanır. Kontrol birimi kaydırma saati isimli bir birimi VRAM’in video portundan besler her kaydırma saati dalgası, VRAM’in kaydırmalı kayıt edicisinden, video portuna kadar, değişmeyen bir adres sırası ile verinin yeni parçalarını dağıtır.
Fast Page Mode DRAM (FPM)- hızlı sayfa modu
Hızlı sayfa modu (FPM) DRAM, sayfa modu DRAM, Hızlı sayfa modu bellek veya sayfa modu bellek olarak da bilinir. Sayfa modunda DRAM’in bir sırası “açık” olarak tutulabilir, böylece sıra içindeki art arda okuma ve yazmada yüklenme öncesi ve sıraya geçişlerde gecikmelerden etkilenmez. Bu durum okuma ve yazma işlemleri sırasında sistemin performansını arttırmaktadır. Statik Sütün sayfa modundaki değişkenin sütün adresine ihtiyaç duyulmamaktadır. Nibble modunda ise bir sıra içindeki ardışık 4 konuma birden ulaşılabilinmektedir.
Window RAM (WRAM)
Window Ram ya da WRAM, ekran kartlarındaki modası geçmiş VRAM'lerin yerine geçmek üzere tasarlanmış yarı iletken bilgisayar hafızalarıdır. Samsung tarafından üretilip, Micron Technology tarafından satılan bu ramler, SDRAM ve SGRAM'ler yerlerini almadan önce, çok kısa bir süre piyasada durmuşlardır.
WRAM, VRAM'e benzer, çift-portlu dinamik ram yapısına sahiptir. Bu yapıda, bir paralel port, bir seri port bulunur ve hızlı blok kopyalama ve blok doldurma(pencere işlemleri olarak adlandırılan) ekstra özelliklere sahip bir yapıdır. Genellikle 50 MHz ile saatlenmiştir. PCI ve VESA Local Bus sistemlerinde en uygun veri transferini yapabilmeleri için 32-bit genişliğinde, sağlayıcı portu bulunmaktadır. Normal WRAMler, VRAM'lere göre %50 daha hızlıdır fakat %20 daha ucuza gelirler. Bazen Microsoft Windows işletim sistemine isim benzerliği yüzünden Windows Ram olarak anılsalar da, bunlar kullanılarak windowing işlemlerinin performansları arttırılabilir.
Bunlar ayrıca Matrox tarafından hem MGA Millenium hem de Millenium II ekran kartlarında kullanılmışlardır.
Extended Data Out (EDO) DRAM
EDO DRAM ile Hızlı sayfa modu (FPM) DRAM benzer özelliklere sahiptir ek olarak EDO DRAM’de ulaşım döngüsü önceki döngüde aktif olan veri çıktısının saklandığı yerden başlayabilmektedir. Bu özellik komut işleme sırasında bir miktar daha geliştirilmiş hızlanma sağlamaktadır. 1993 yılında EDO DRAM, Hızlı Sayfa Modu DRAM’e göre %5 daha hızlandırılmıştır. Tek-Döngü EDO tam bellek işlemlerini 1 saat döngüsünde yapma özelliğine sahiptir. Yoksa bir sayfa seçildiğinde aynı sayfadaki art arda gelen RAM ulaşımları 2 saat döngüsü yerine 3 saat döngüsünde olurdu. EDO’ların hızları ve kapasiteleri, PC’lerdeki daha yavaş L2 önbellekleri yerine geçmesini sağlamıştır. Tek-döngü EDO DRAM 1990’ların sonlarına doğru video kartlarında çok popüler olmuştur. Düşük maliyeti olmasına rağmen, maliyeti yüksek olan VRAM’e yakın bir performans vermiştir.
Burst EDO (BEDO) DRAM
Burst EDO standart EDO’ya bellekten tek bir istekle gönderilen verinin seriler ya da burst olmasına izin veren bir yeniliktir.1 burst’te bellekteki 4 adresi işleyebilmektedir. Çipin içinde bulunan adres sayacıyla bir sonraki adres tutulur. Ayrıca BEDO bilgi iletimi ve ulaşımı sağlayacak döngüyü 2 bileşene ayırdı. Bellekten okuma işlemi sırasında, 1.bileşen bellekteki veriden çıktı bölümüne kadar veriye ulaşır. 2. bileşen ise veri yolunu bu mandaldan uygun mantık seviyesine getirir. Veri çıktı tamponunda olduğunda, genel EDO anlayışına göre daha hızlı erişim zamanı elde edilir.
BEDO DRAM, EDO’ya karşı eniyileme eklentileri yapmasına rağmen zamanla SDRAM’e önemli yatırımlar oldu fakat BEDO RAM teknik olarak SDRAM’e göre üstündür.
Multibank DRAM (MDRAM)
Multibank RAM, SRAM’e karşı daha hızlı ve ucuz alternatif oluşturmak için ana belleğin sırayla birleştirme tekniğini ikinci düzey önbelleklerde uygulamıştır. Çip belleğini 256 kB’lik küçük bloklara ayırmıştır ve işlemleri tek saat döngüsünde 2 farklı yığında yapmayı sağlamıştır. Bu bellek aslında Tseng Labs ET6x00 yonga seti (chipset) ile birlikte MoSys tarafından yapılan grafik kartlarında kullanılmıştır. Bu yonga seti tabanlı kartlarda 2.25 MB’lık alışılmadık RAM büyüklüğü ile düzenlenmiştir çünkü MDRAM’lerin değişik RAM büyüklükleriyle kolaylıkla istenileni yapabilmektedir. 2,25 MB’lik büyüklük, 24-bit 1024×768 çözünürlüğe izin vermektedir.
Senkronize Grafik Ram (SGRAM)
Grafik adaptörlerde kullanılan SGRAM, SDRAM’in özel bir versiyonudur. Fonksiyonları, bit gizlemesi(diğerlerine tesir etmeden açıkça belirtilen bit düzlemine yazma) ve yazmayı durdurma (blokları tek renk hafızayla doldurma) gibi yöntemlerle ekler SGRAM, verileri tek tek yerine bloklar halinde alıyor ve işliyor. Bu sayede okuma ve yazma performansı önemli ölçüde artıyor. VRAM ve WRAM’in aksine SGRAM tek-portlu hafıza birimine sahiptir. Fakat SGRAM bir kerede iki bellek sayfasını açabilir bu işlemde çift-portlu diğer video RAM teknolojileri simüle edilir. SGRAM ve SDRAM 1990’ların sonlarında DRAM’lerin en popüler türleri oldular. VE 2000’lerin ilk on yılında da böyle devam edecek.
Senkronize Dinamik Ram(SDRAM)
Rambus DRAM(RDRAM)
Double Data Rate (DDR) SDRAM
Çift veri transferli bellekler – SDRAM’lerin geliştirilmesiyle 2000’lerin başında PC belleklerde kullanılmaya başlandı. DDR2-SDRAM’in ortaya çıkışı, DDR-SDRAM’in başlangıçtaki küçük gelişimi(tek-çekirdekli CPU temelli) sonrası saat hızları ve komut işlemenin yüksek hızlara çıkmasıyla olmuştur. 2006 yılında ortaya çıkan çok-çekirdekli CPU’ların çabuk kabullenilmesiyle standart DDR2’lerin endüstrisinde mevcut DDR-SDRAM fiziksel standartlarına göre değişmesi beklenilmektedir. Ayrıca 2007’de geliştirilmesi öngörülen DDR3 ile birlikte DDR2 ve DDR‘ın yerine DDR3’ün geçmesi bekleniyor.
Pseudostatic RAM (PSRAM) (pseudo: yalancı static:durağan)
PSRAM veya PSDRAM dinamik RAM yenileme ve adres kontrol devresiyle durağan(statik) RAM(SRAM)'e benzer. DRAM’in yüksek yoğunluğu ve SRAM’in rahat kullanımını birleştirmiştir.
Bazı DRAM bileşenlerinin “öz- yenileme biçimi” (self refresh mode) vardır. Yalancı-durağan (pseudo-static) RAM işlemleri için olan işlemleri içerirken, bu biçim sıklıkla yedekteki biçime denktir. DRAM denetim birimi veriyi kaybetmeden güç tasarrufu için geçici bir süre işlemleri durdurur, PSRAM'lerde olduğu gibi ayrık bir DRAM denetim birimi olmadan işlemlere izin verilmez.
wikipedia, wiki, viki, vikipedia, oku, kitap, kütüphane, kütübhane, ara, ara bul, bul, herşey, ne arasanız burada,hikayeler, makale, kitaplar, öğren, wiki, bilgi, tarih, yukle, izle, telefon için, turk, türk, türkçe, turkce, nasıl yapılır, ne demek, nasıl, yapmak, yapılır, indir, ücretsiz, ücretsiz indir, bedava, bedava indir, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, resim, müzik, şarkı, film, film, oyun, oyunlar, mobil, cep telefonu, telefon, android, ios, apple, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, pc, web, computer, bilgisayar
Dinamik Rastgele Erisimli Bellek Dynamic Random Access Memory dinamik rastgele erisimli bellek bir tumlesik devre icinde her bir veri bitini ayri bir kapasitor icinde saklayan Rastgele Erisimli Bellek turudur Kapasitorler yapilari geregi bir sure sonra bosalacagindan yenileme tazeleme refresh devresine ihtiyaclari vardir Bu yenileme ihtiyacindan dolayi DRAM SRAM Statik Rastgele Erisimli Bellek ve diger statik belleklerin ziddi durumundadir DRAM in SRAM uzerindeki avantaji onun yapisal basitligidir 1 bit icin 1 transistor ve 1 kapasitor DRAM icin yeterliyken SRAM icin 6 transistor gerekir DRAM yenileme devresinden dolayi cok yer kaplar Guc kaynagi acik oldugu durumda DRAM ve SRAM sakladigi verileri korur bu nedenle her iki bellek aygiti da volatiledir Guc kaynagi kesildiginde veriler kaybolur MT4C1024 DRAMTarihceDRAM Dr tarafindan 1966 da IBM Thomas J Watson Arastirma Merkezi nde icat edilmistir ve 1968 yilinda patenti alinmistir Kapasitorler Atanasoff Berry Computer Willams Tube ve Selectron Tube gibi ilk bellek projelerinde kullanilmistir 1969 da e kendilerinin gelistirdigi 3 transistor hucre cell bulunan DRAM i uretmesini onerdi Bunun sonucunda 1970 lerin baslarinda Intel 1102 1024x1 ortaya cikti Intel in urettigi 1102 nin pek cok sorunu olmasi Intel i kendilerinin gelistirdigi tasarimlara yonelmesine neden oldu bu calismalar Honeywell ile anlasmazlik cikmamasi icin gizlice yurutuldu Bu calismalar sonucunda Ekim 1970 te ticari olarak kullanilabilecek 1 transistor hucreli DRAM olan Intel 1103 1024x1 ortaya cikti ilk bastalardaki az gelir sorunu 5 gozden gecirmeye kadar devam etti Calisma prensibiDRAM ece385 aciklayici ornek Dinamik rastgele erisim belleginin DRAM basit 4 e 4 diziyle nasil calistigini gostermek icin bunu ECE385 kursum icin idraw ile cizdim DRAM genellikle hucre basina 1 kapasitor ve 1 transistorun kare seklinde dizilmesiyle olusur Modern DRAM binlerce hucrenin enine ve boyuna dizilisiyle olusur Bir okuma islemi sirasiyla su sekilde meydana gelir Secilen hucrenin sirasi aktif hale getirilir kapasitor acilir ve o dizinin kapasitoru ile anlamli satira baglanir Anlamli satir saklanan sinyalin 1 mi 0 mi oldugunu ayirt eden anlamli yukseltece yonlendirir Daha sonra uygun sutundaki kuvvetlendirilen deger secilir ve cikisa baglanir Okuma dongusunun sonunda satir degerleri mutlaka okuma sirasinda bosalan kapasitorde depolanmalidir Yazma islemi satirin aktif hale getirilmesiyle ve degerlerin birbirine baglanarak anlamli siraya yazilirken kapasitorleri istenilen degere yuklenmesini saglayarak yapilir Belirli bir hucredeki yazma islemi sirasinda butun satir okutulur 1 deger degistirilir ve ondan sonra butun satir tekrar yazilir Genellikle imalatcilar JEDEC standartlarina gore her satirin her 64 ms veya daha az surede bir yenilenmesi gerektigini belirtir Yenileme mantigi genellikle DRAM lerle periyodik yenilemeyi otomatiklestirmek icin kullanilir Bu devreyi daha karmasik hale getirir fakat DRAM in SRAM e gore daha ucuz ve daha fazla kapasiteye sahip olmasi nedeniyle DRAM i avantajli kilar Bazi sistemler her satiri 64 ms de bir dongu ile yenileme yapar Baska sistemler ise bir sira belli bir zamanda ornegin 213 8192 satira sahip bir sistemin yenileme orani her bir satir icin 7 8 µs 64 ms 8192 sira yapar Gercek zamanli bazi sistemler dis sayaca dayanan bir zamanlama ile hafizanin belli bir kismini tazeleyerek sistemin geri kalanini yonlendirir video malzemelerinde her 10 20 ms de meydana gelen dusey bosluk araligi gibi Butun yontemler belli bir cesit sayac icermektedir bunun nedeni ise bir sonraki turda hangi siranin yenilenecegini tespit etmektir Bazi DRAM cipleri bu sayaci icerirken diger turler ise bu sayaci tutmak icin dis yenileme mantigina ihtiyac duyar bazi kosullarda DRAM dakikalarca yenilenmese dahi DRAM deki verilerin buyuk bolumune yeniden ulasilabilir Hatalar ve Hata DuzeltmeBilgisayar sistemi icindeki elektriksel veya manyetik parazitlenme bir DRAM bitinin kendiliginden karsit duruma donmesine neden olur Bazi arastirmalar DRAM yongalarindaki hatalarin cogunun kozmik isinlar yuzunden ciktigini gostermektedir Bu bir veya daha fazla hafiza hucresinin icerigini degistirebilir ya da onlari okuyup yazan devrelere zarar verebilir DRAM yogunlugu arttikca DRAM yongalari uzerindeki bilesenler kuculurken ayni zamanda calisma voltajlari dusecegi icin DRAM yongalari siklikla yuksek radyasyona ugrayacaktir Bu dusuk enerjili parcaciklarin hafiza hucresinin durumunu degistirebileceginden kaynaklanir Diger taraftan kucuk hucreler daha kucuk hedefler olustururlar ve teknolojiyi SOI nin yaptigi daha az duyarli ve iyi tepki veren veya bunlarin tam tersi egilimlere yoneltmistir Bu problem icinde ekstra hafiza biti olan ve bunlari kendi icin kullanan hafiza kontrolleri olan DRAM ler kullanilarak hafifletilebilir Bu ekstra bitler eslik kaydetmeye veya ECC kullanmaya yarar Eslik tek bitlik hatalari bulmayi saglar En cok kullanilan hata duzeltme kodu Hamming Kod tek bitlik hatalari duzeltmeyi ve iki bitlik hatalari bulmayi saglar Bilgisayar sistemlerinde hata bulmak ve duzeltmek bazen moda bazen demode gozukur Seymuor Cray neden bunu CDC 6600 dan cikarttiginda eslik bizim ciftcimizdir demistir Esligi CDC 7600 e dahil ettiginde soylentiye gore bircok ciftcinin bilgisayar aldigini ogrendim demistir 486 donemi PC lerde genelde eslik kullanilmistir Pentium doneminden olanlarda ise cogunlukla yoktu Daha genis bellek anayolu esligi ve ECC yi alinabilir kilmistir Su anki mikroislemci hafiza kontrolleri genelde ECC desteklidir ama sunucu tabanli olmayan sistemler bu ozellikleri kullanmazlar Kullansalar bile yazilim kisimlarinin bunlari kullandiklari kesin degildir Cogu modern PC lerdeki hafiza kontrolleri 64 bitte bir bitlik hatayi bulup duzeltebilir 64 bitte iki bitlik hatayi da sadece bulabilir Bazi sistemler hatalari verinin dogru olanini hafizaya yeniden yazarak temizler Bazi bilgisayarlardaki BIOS ve Linux gibi isletim sistemleri bulunan ve duzeltilen hatalari bozulmaya baslayan hafiza modullerini belirleyebilmek ve daha buyuk felaketleri onlemek icin sayarlar Maalesef cogu modern PC eslik veya ECC ye sahip olmayan hafiza modullerine sahiptir Hata bulma ve duzeltme olusabilecek hatalarin beklentisine dayanir Hafiza bitindeki her sozcugun basarisizligi birbirinden bagimsizdir ve sonuc olarak iki eszamanli hata beklenmez Bu durum hafiza yongalarinin bir oldugu zamanlarda gecerliydi Su anda ayni yongada bircok bit var Bu zaaf bir durum disinda genelde ortaya cikmaz yonga bozulmasi Bir baska mantikli uygulama ise parmak hesabidir ayda gigabayt basina bir bitlik hata beklentisi Gercek hata oranlari gene olcude degisebilir Video RamVRAM DRAM in grafik kartlarinda kullanilan cift portlu versiyonudur VRAM in hafiza dizisi icin kullanilabilecek iki yolu ya da portu vardir Ilk port olan DRAM portu DRAM tarafindan erisilebilir Ikinci port video portu sadece okuma isini yapar ve hizli akisa sahip veriyi goruntuye aktarir Video portunu kullanmak icin kontrol birimi oncelikle hafiza dizisinin sirasina gore goruntulemek icin bir secim yapar ve bu secim icin DRAM portunu kullanir Daha sonra VRAM bu sirayi icerideki bir kaydirmali kayit ediciye kopyalar Kontrol birimi daha sonra DRAM i ekran uzerinde nesneler cizmek icin kullanir Kontrol birimi kaydirma saati isimli bir birimi VRAM in video portundan besler her kaydirma saati dalgasi VRAM in kaydirmali kayit edicisinden video portuna kadar degismeyen bir adres sirasi ile verinin yeni parcalarini dagitir Fast Page Mode DRAM FPM hizli sayfa moduHizli sayfa modu FPM DRAM sayfa modu DRAM Hizli sayfa modu bellek veya sayfa modu bellek olarak da bilinir Sayfa modunda DRAM in bir sirasi acik olarak tutulabilir boylece sira icindeki art arda okuma ve yazmada yuklenme oncesi ve siraya gecislerde gecikmelerden etkilenmez Bu durum okuma ve yazma islemleri sirasinda sistemin performansini arttirmaktadir Statik Sutun sayfa modundaki degiskenin sutun adresine ihtiyac duyulmamaktadir Nibble modunda ise bir sira icindeki ardisik 4 konuma birden ulasilabilinmektedir Window RAM WRAM Window Ram ya da WRAM ekran kartlarindaki modasi gecmis VRAM lerin yerine gecmek uzere tasarlanmis yari iletken bilgisayar hafizalaridir Samsung tarafindan uretilip Micron Technology tarafindan satilan bu ramler SDRAM ve SGRAM ler yerlerini almadan once cok kisa bir sure piyasada durmuslardir WRAM VRAM e benzer cift portlu dinamik ram yapisina sahiptir Bu yapida bir paralel port bir seri port bulunur ve hizli blok kopyalama ve blok doldurma pencere islemleri olarak adlandirilan ekstra ozelliklere sahip bir yapidir Genellikle 50 MHz ile saatlenmistir PCI ve VESA Local Bus sistemlerinde en uygun veri transferini yapabilmeleri icin 32 bit genisliginde saglayici portu bulunmaktadir Normal WRAMler VRAM lere gore 50 daha hizlidir fakat 20 daha ucuza gelirler Bazen Microsoft Windows isletim sistemine isim benzerligi yuzunden Windows Ram olarak anilsalar da bunlar kullanilarak windowing islemlerinin performanslari arttirilabilir Bunlar ayrica Matrox tarafindan hem MGA Millenium hem de Millenium II ekran kartlarinda kullanilmislardir Extended Data Out EDO DRAMEDO DRAM ile Hizli sayfa modu FPM DRAM benzer ozelliklere sahiptir ek olarak EDO DRAM de ulasim dongusu onceki dongude aktif olan veri ciktisinin saklandigi yerden baslayabilmektedir Bu ozellik komut isleme sirasinda bir miktar daha gelistirilmis hizlanma saglamaktadir 1993 yilinda EDO DRAM Hizli Sayfa Modu DRAM e gore 5 daha hizlandirilmistir Tek Dongu EDO tam bellek islemlerini 1 saat dongusunde yapma ozelligine sahiptir Yoksa bir sayfa secildiginde ayni sayfadaki art arda gelen RAM ulasimlari 2 saat dongusu yerine 3 saat dongusunde olurdu EDO larin hizlari ve kapasiteleri PC lerdeki daha yavas L2 onbellekleri yerine gecmesini saglamistir Tek dongu EDO DRAM 1990 larin sonlarina dogru video kartlarinda cok populer olmustur Dusuk maliyeti olmasina ragmen maliyeti yuksek olan VRAM e yakin bir performans vermistir Burst EDO BEDO DRAMBurst EDO standart EDO ya bellekten tek bir istekle gonderilen verinin seriler ya da burst olmasina izin veren bir yeniliktir 1 burst te bellekteki 4 adresi isleyebilmektedir Cipin icinde bulunan adres sayaciyla bir sonraki adres tutulur Ayrica BEDO bilgi iletimi ve ulasimi saglayacak donguyu 2 bilesene ayirdi Bellekten okuma islemi sirasinda 1 bilesen bellekteki veriden cikti bolumune kadar veriye ulasir 2 bilesen ise veri yolunu bu mandaldan uygun mantik seviyesine getirir Veri cikti tamponunda oldugunda genel EDO anlayisina gore daha hizli erisim zamani elde edilir BEDO DRAM EDO ya karsi eniyileme eklentileri yapmasina ragmen zamanla SDRAM e onemli yatirimlar oldu fakat BEDO RAM teknik olarak SDRAM e gore ustundur Multibank DRAM MDRAM Multibank RAM SRAM e karsi daha hizli ve ucuz alternatif olusturmak icin ana bellegin sirayla birlestirme teknigini ikinci duzey onbelleklerde uygulamistir Cip bellegini 256 kB lik kucuk bloklara ayirmistir ve islemleri tek saat dongusunde 2 farkli yiginda yapmayi saglamistir Bu bellek aslinda Tseng Labs ET6x00 yonga seti chipset ile birlikte MoSys tarafindan yapilan grafik kartlarinda kullanilmistir Bu yonga seti tabanli kartlarda 2 25 MB lik alisilmadik RAM buyuklugu ile duzenlenmistir cunku MDRAM lerin degisik RAM buyuklukleriyle kolaylikla istenileni yapabilmektedir 2 25 MB lik buyukluk 24 bit 1024 768 cozunurluge izin vermektedir Senkronize Grafik Ram SGRAM Grafik adaptorlerde kullanilan SGRAM SDRAM in ozel bir versiyonudur Fonksiyonlari bit gizlemesi digerlerine tesir etmeden acikca belirtilen bit duzlemine yazma ve yazmayi durdurma bloklari tek renk hafizayla doldurma gibi yontemlerle ekler SGRAM verileri tek tek yerine bloklar halinde aliyor ve isliyor Bu sayede okuma ve yazma performansi onemli olcude artiyor VRAM ve WRAM in aksine SGRAM tek portlu hafiza birimine sahiptir Fakat SGRAM bir kerede iki bellek sayfasini acabilir bu islemde cift portlu diger video RAM teknolojileri simule edilir SGRAM ve SDRAM 1990 larin sonlarinda DRAM lerin en populer turleri oldular VE 2000 lerin ilk on yilinda da boyle devam edecek Senkronize Dinamik Ram SDRAM Rambus DRAM RDRAM Double Data Rate DDR SDRAMCift veri transferli bellekler SDRAM lerin gelistirilmesiyle 2000 lerin basinda PC belleklerde kullanilmaya baslandi DDR2 SDRAM in ortaya cikisi DDR SDRAM in baslangictaki kucuk gelisimi tek cekirdekli CPU temelli sonrasi saat hizlari ve komut islemenin yuksek hizlara cikmasiyla olmustur 2006 yilinda ortaya cikan cok cekirdekli CPU larin cabuk kabullenilmesiyle standart DDR2 lerin endustrisinde mevcut DDR SDRAM fiziksel standartlarina gore degismesi beklenilmektedir Ayrica 2007 de gelistirilmesi ongorulen DDR3 ile birlikte DDR2 ve DDR in yerine DDR3 un gecmesi bekleniyor Pseudostatic RAM PSRAM pseudo yalanci static duragan PSRAM veya PSDRAM dinamik RAM yenileme ve adres kontrol devresiyle duragan statik RAM SRAM e benzer DRAM in yuksek yogunlugu ve SRAM in rahat kullanimini birlestirmistir Bazi DRAM bilesenlerinin oz yenileme bicimi self refresh mode vardir Yalanci duragan pseudo static RAM islemleri icin olan islemleri icerirken bu bicim siklikla yedekteki bicime denktir DRAM denetim birimi veriyi kaybetmeden guc tasarrufu icin gecici bir sure islemleri durdurur PSRAM lerde oldugu gibi ayrik bir DRAM denetim birimi olmadan islemlere izin verilmez