Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
Devre küçültme terimi (bazen optik küçültme veya üretim işlemi küçültme olarak da adlandırılır), metal oksit yarı iletken (MOS) cihaz ölçeklemesini ifade eder. Bir devreyi küçültme eylemi, genellikle litografi devrelerindeki bir gelişmeyle ilişkilidir, daha gelişmiş bir üretim işlemi kullanarak aşağı yukarı aynı devreyi oluşturmaya dayanır. Devre küçültme; işlemcilerde büyük mimari değişiklikler yapılmadığı için AR-GE (araştırma-geliştirme) ücretlerini azalttığı ve aynı zamanda aynı yonga plağında daha fazla işlemci devresi üretilebildiği için satılan ürün başına maliyeti azalttığı için bir çip firması için genel masrafları azaltmaktadır.
Detaylar
Devre küçültmeleri; Samsung, Intel, TSMC ve SK Hynix gibi yarı iletken şirketleri ve; AMD (önceki ATI de dahil olmak üzere), NVIDIA ve MediaTek gibi üretim yapmayan (fabless) yarı iletken şirketleri için fiyat/performans oranını arttırmak için temel unsurdur.
2000'lerdeki çip küçültmeleri; Sony ve Toshiba'nın Playstation 2'deki işlemcisinin (2000'deki 180 nm CMOS'dan 2003'teki 90 nm CMOS'a) küçültülmesini, Cedar Mill kod adlı Pentium 4 işlemcilerini (90 nm CMOS'dan 65 nm CMOS'a küçültme), Penryn Core 2 işlemcilerini (65 nm CMOS'dan 45 nm CMOS'a küçültme), Brisbane kod adlı işlemcilerini (90 nm 65 nm SOI'a küçültme), ATI ve NVIDIA'nın çeşitli grafik işlemci nesillerindeki çip küçültmelerini; ve Samsung, Toshiba ve SK Hynix'in çeşitli RAM ve flaş depolama nesillerindeki küçültmeleri içerir. Intel, Ocak 2010'da önceki Nehalem işlemci mikromimarisindeki 45 nm'ye kıyasla 32 nm üretim işlemine küçültülmüş Clarkdale Core i5 ve Core i7 işlemcilerini satışa çıkarmıştır. Özellikle Intel, önceden modeliyle ürün performansını belirli bir seviyede geliştirmek için devre küçültmelerinden faydalanmaya odaklanmaktaydı. Bu iş modelinde her yeni mikromimari (tick), aynı mikromimaride performansı arttırmak için devre küçültmeyle (tock) tamamlanırdı.
Devre küçültme; yarı iletken cihazlarda aynı çip saat hızı korunurken her transistör tarafından açılırken veya kapanırken kullanılan akımı azaltarak bir ürünün daha az güç tüketmesini (ve bu nedenle daha az ısı açığa çıkmasını), aralığının artmasını ve daha az maliyetli olmasını sağladığı için son kullanıcıyı olumlu etkilemektedir. 200 mm veya 300 mm yonga plağı üretiminin maliyeti, plaktaki çip sayısına göre değil çip üretimi aşaması sayısıyla orantılı olduğu için devre küçültmeleri her plağa daha fazla çip sığmasını sağlayarak çip başına daha düşük üretim maliyetinin düşmesini sağlar.
Yarı küçültme
İşlemci üretimindeki devre küçültmeleri, her zaman (International Technology Roadmap for Semiconductors/Yarı İletkenler için Teknoloji Yol Haritası) standartlarına göre olan litografik devrelerdeki gelişmelerle ilişkilidir. Grafik işlemci ve yongada sistem üretimi için devre küçültme, devrelerin genellikle ITRS tarafından belirlenmeyen devrelere küçültülmesine dayanır; bazen yarı devreler olarak adlandırılan 150 nm, 110 nm, 80 nm, 55 nm, 40 nm ve son zamanlarda 8 nm devreler buna örnek olarak gösterilebilir. Bu devreler, ITRS tarafından belirlenen daha küçük devre standartlara geçiş gerçekleşmeden önce ITRS tarafından belirlenen iki tane litografik devre arasındaki ara ürünlerdir (bu nedenle yarı devre küçültme olarak adlandırılırlar); bu durum gelecekteki AR-GE masraflarını azaltmaya yardımcı olur. Tam devre veya yarı devre küçültme uygulama kararı, yarı iletken üreticisine bağlıdır ancak entegre devre tasarımcısına bağlı değildir.
| Ana ITRS devresi | Geçici yarı devre |
|---|---|
| 250 nm | 220 nm |
| 180 nm | 150 nm |
| 130 nm | 110 nm |
| 90 nm | 80 nm |
| 65 nm | 55 nm |
| 45 nm | 40 nm |
| 32 nm | 28 nm |
| 22 nm | 20 nm |
| 14 nm | 12 nm |
| 10 nm | 8 nm |
| 7 nm | 6 nm |
| 5 nm | 4 nm |
| 3 nm | Yok |
Ayrıca bakınız
Kaynakça
- ^ "EMOTION ENGINE® AND GRAPHICS SYNTHESIZER USED IN THE CORE OF PLAYSTATION® BECOME ONE CHIP" (PDF). Sony. 21 Nisan 2003. 13 Nisan 2018 tarihinde kaynağından (PDF). Erişim tarihi: 26 Haziran 2019.
- ^ a b . Anandtech. 23 Mart 2016 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 23 Mart 2016.
- ^ . The Motley Fool. 19 Ocak 2017 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 18 Ocak 2017.
Dış bağlantılar
- 0.11 µm Standard Cell ASIC 12 Ağustos 2018 tarihinde Wayback Machine sitesinde .
- EETimes: ON Semi offers 110-nm ASIC platform 4 Ekim 2012 tarihinde Wayback Machine sitesinde .
- UMC 45/40nm 22 Eylül 2011 tarihinde Wayback Machine sitesinde .
- SiliconBlue tips FPGA move to 40-nm 4 Ekim 2012 tarihinde Wayback Machine sitesinde .
- TSMC Reiterates 28 nm Readiness by Q4 2011 3 Mart 2016 tarihinde Wayback Machine sitesinde .
- Design starts triple for TSMC at 28-nm 4 Ekim 2012 tarihinde Wayback Machine sitesinde .
wikipedia, wiki, viki, vikipedia, oku, kitap, kütüphane, kütübhane, ara, ara bul, bul, herşey, ne arasanız burada,hikayeler, makale, kitaplar, öğren, wiki, bilgi, tarih, yukle, izle, telefon için, turk, türk, türkçe, turkce, nasıl yapılır, ne demek, nasıl, yapmak, yapılır, indir, ücretsiz, ücretsiz indir, bedava, bedava indir, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, resim, müzik, şarkı, film, film, oyun, oyunlar, mobil, cep telefonu, telefon, android, ios, apple, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, pc, web, computer, bilgisayar
Devre kucultme terimi bazen optik kucultme veya uretim islemi kucultme olarak da adlandirilir metal oksit yari iletken MOS cihaz olceklemesini ifade eder Bir devreyi kucultme eylemi genellikle litografi devrelerindeki bir gelismeyle iliskilidir daha gelismis bir uretim islemi kullanarak asagi yukari ayni devreyi olusturmaya dayanir Devre kucultme islemcilerde buyuk mimari degisiklikler yapilmadigi icin AR GE arastirma gelistirme ucretlerini azalttigi ve ayni zamanda ayni yonga plaginda daha fazla islemci devresi uretilebildigi icin satilan urun basina maliyeti azalttigi icin bir cip firmasi icin genel masraflari azaltmaktadir DetaylarDevre kucultmeleri Samsung Intel TSMC ve SK Hynix gibi yari iletken sirketleri ve AMD onceki ATI de dahil olmak uzere NVIDIA ve MediaTek gibi uretim yapmayan fabless yari iletken sirketleri icin fiyat performans oranini arttirmak icin temel unsurdur 2000 lerdeki cip kucultmeleri Sony ve Toshiba nin Playstation 2 deki islemcisinin 2000 deki 180 nm CMOS dan 2003 teki 90 nm CMOS a kucultulmesini Cedar Mill kod adli Pentium 4 islemcilerini 90 nm CMOS dan 65 nm CMOS a kucultme Penryn Core 2 islemcilerini 65 nm CMOS dan 45 nm CMOS a kucultme Brisbane kod adli islemcilerini 90 nm 65 nm SOI a kucultme ATI ve NVIDIA nin cesitli grafik islemci nesillerindeki cip kucultmelerini ve Samsung Toshiba ve SK Hynix in cesitli RAM ve flas depolama nesillerindeki kucultmeleri icerir Intel Ocak 2010 da onceki Nehalem islemci mikromimarisindeki 45 nm ye kiyasla 32 nm uretim islemine kucultulmus Clarkdale Core i5 ve Core i7 islemcilerini satisa cikarmistir Ozellikle Intel onceden modeliyle urun performansini belirli bir seviyede gelistirmek icin devre kucultmelerinden faydalanmaya odaklanmaktaydi Bu is modelinde her yeni mikromimari tick ayni mikromimaride performansi arttirmak icin devre kucultmeyle tock tamamlanirdi Devre kucultme yari iletken cihazlarda ayni cip saat hizi korunurken her transistor tarafindan acilirken veya kapanirken kullanilan akimi azaltarak bir urunun daha az guc tuketmesini ve bu nedenle daha az isi aciga cikmasini araliginin artmasini ve daha az maliyetli olmasini sagladigi icin son kullaniciyi olumlu etkilemektedir 200 mm veya 300 mm yonga plagi uretiminin maliyeti plaktaki cip sayisina gore degil cip uretimi asamasi sayisiyla orantili oldugu icin devre kucultmeleri her plaga daha fazla cip sigmasini saglayarak cip basina daha dusuk uretim maliyetinin dusmesini saglar Yari kucultmeIslemci uretimindeki devre kucultmeleri her zaman International Technology Roadmap for Semiconductors Yari Iletkenler icin Teknoloji Yol Haritasi standartlarina gore olan litografik devrelerdeki gelismelerle iliskilidir Grafik islemci ve yongada sistem uretimi icin devre kucultme devrelerin genellikle ITRS tarafindan belirlenmeyen devrelere kucultulmesine dayanir bazen yari devreler olarak adlandirilan 150 nm 110 nm 80 nm 55 nm 40 nm ve son zamanlarda 8 nm devreler buna ornek olarak gosterilebilir Bu devreler ITRS tarafindan belirlenen daha kucuk devre standartlara gecis gerceklesmeden once ITRS tarafindan belirlenen iki tane litografik devre arasindaki ara urunlerdir bu nedenle yari devre kucultme olarak adlandirilirlar bu durum gelecekteki AR GE masraflarini azaltmaya yardimci olur Tam devre veya yari devre kucultme uygulama karari yari iletken ureticisine baglidir ancak entegre devre tasarimcisina bagli degildir Yari kucultme Ana ITRS devresi Gecici yari devre250 nm 220 nm180 nm 150 nm130 nm 110 nm90 nm 80 nm65 nm 55 nm45 nm 40 nm32 nm 28 nm22 nm 20 nm14 nm 12 nm10 nm 8 nm7 nm 6 nm5 nm 4 nm3 nm YokAyrica bakinizEntegre devre Yari iletken cihaz imalati Fotolitografi Moore yasasi Transistor sayisiKaynakca EMOTION ENGINE AND GRAPHICS SYNTHESIZER USED IN THE CORE OF PLAYSTATION BECOME ONE CHIP PDF Sony 21 Nisan 2003 13 Nisan 2018 tarihinde kaynagindan PDF Erisim tarihi 26 Haziran 2019 a b Anandtech 23 Mart 2016 tarihinde kaynagindan arsivlendi Erisim tarihi 23 Mart 2016 The Motley Fool 19 Ocak 2017 tarihinde kaynagindan arsivlendi Erisim tarihi 18 Ocak 2017 Dis baglantilar0 11 µm Standard Cell ASIC 12 Agustos 2018 tarihinde Wayback Machine sitesinde EETimes ON Semi offers 110 nm ASIC platform 4 Ekim 2012 tarihinde Wayback Machine sitesinde UMC 45 40nm 22 Eylul 2011 tarihinde Wayback Machine sitesinde SiliconBlue tips FPGA move to 40 nm 4 Ekim 2012 tarihinde Wayback Machine sitesinde TSMC Reiterates 28 nm Readiness by Q4 2011 3 Mart 2016 tarihinde Wayback Machine sitesinde Design starts triple for TSMC at 28 nm 4 Ekim 2012 tarihinde Wayback Machine sitesinde