Azərbaycanca
Беларускі
Dansk
Deutsch
Española
Français
Indonesia
Italiana
日本語
Қазақ
Lietuvos
Nederlands
Português
Русский
සිංහල
แบบไทย
Türkçe
Українська
中國人
United State
Afrikaans
High Bandwidth Memory veya HBM, (Yüksek Bant Genişlikli Bellek), Samsung, AMD ve SK Hynix'in SDRAM'ı için yüksek performanslı bir RAM arayüzüdür. Yüksek performanslı grafik hızlandırıcıları ve ağ aygıtlarıyla birlikte kullanılmak üzere tasarlanmıştır. İlk HBM bellek yongası, 2013 yılında SK Hynix tarafından üretildi ve HBM'yi kullanan ilk cihazlar 2015 yılında GPU'lardı.
Yüksek Bant Genişlikli Bellek, tarafından Ekim 2013'te bir endüstri standardı olarak kabul edilmiştir. İkinci nesil, HBM2, Ocak 2016'da JEDEC tarafından kabul edildi.
Teknoloji
HBM, DDR4 veya GDDR5'ten önemli ölçüde daha küçük daha az güç kullanırken daha yüksek bant genişliği elde eder. Bu, (TSV - Through-silicon via) ve mikro yumrular ile birbirine bağlanan bir bellek denetleyicisine sahip isteğe bağlı bir taban kalıbı dahil olmak üzere sekize kadar DRAM kalıbının (böylece üç boyutlu bir entegre devre olarak) istiflenmesi ile elde edilir. HBM teknolojisi prensipte benzer ancak Micron Technology tarafından geliştirilen Melez Bellek Küp arayüzü ile uyumsuzdur.
HBM bellek veriyolu, DDR4 veya GDDR5 gibi diğer DRAM belleklerine kıyasla çok geniştir. Dört DRAM kalıbı olan bir HBM yığını (4‑Hi) toplam 8 kanal ve toplam 1024 bit genişliğinde kalıp başına iki tane 128 bitlik kanala sahiptir. Dört adet 4‑Hi HBM yığınına sahip bir grafik kartı/GPU, bu nedenle 4096 bit genişliğinde bir bellek veriyoluna sahip olacaktır. Buna karşılık, GDDR belleklerin veriyolu genişliği 32 bit, 512 bit bellek arayüzlü bir grafik kartı için ise 16 kanaldır. HBM, paket başına 4 GB'a kadar destekler.
DDR4 veya GDDR5'e göre belleğe daha fazla sayıda bağlantı yapılması, HBM belleğini GPU'ya (veya diğer işlemcilere) bağlamak için yeni bir yöntem gerektiriyordu. AMD ve Nvidia hem bellek hem de GPU'yu bağlamak için interposer (bağlantılar arasında yönlendirme yapan bir arayüz) adı verilen amaca uygun silikon yongaları vardır. Bu interposer, bellek ve işlemcinin fiziksel olarak yakın olmasını ve bellek yollarını azaltmasını gerektiren ek bir kazanıma sahiptir. Bununla birlikte, yarı iletken cihaz üretimi baskılı devre kartı üretiminden önemli ölçüde daha pahalı olduğundan, bu nihai ürüne ek maliyet getirir.
Arayüz
HBM DRAM, dağıtık bir arayüz ile ana bilgisayar hesaplama kalıbına sıkıca bağlanmıştır. Arayüz bağımsız kanallara ayrılmıştır. Kanallar birbirinden tamamen bağımsızdır ve mutlak olarak birbirine senkronize değildir. HBM DRAM, yüksek hızlı, düşük güçlü çalışma elde etmek için geniş bir arayüz mimarisi kullanır. HBM DRAM, 500 MHz hızında saat CK_t / CK_c (burada "_t" soneki, diferansiyel çiftin "gerçek" veya "pozitif", "_c" ise "tamamlayıcı" olduğu anlamına gelir) kullanır. Komutlar, CK_t, CK_c'nin yükselen kenarında kaydedilir. Her kanal arayüzü, çift veri hızında (DDR) çalışan 128 bitlik bir veri yolu tutar. HBM, pin başına 1 GT/s aktarım hızlarını (1 bit aktarımı) destekler ve 128 GB/s'lik genel bir paket bant genişliği sağlar.
HBM2
İkinci nesil yüksek bant genişlikli bellek olan HBM2, yığın başına sekiz kalıp ve 2 GT/s'ye kadar pin aktarım hızlarını da belirler. 1024 bit geniş erişime (wide access) sahip olan HBM2, paket başına 256 GB/sn'lik bellek bant genişliğine erişebilir. HBM2, tanımlamasına göre paket başına 8 GB'a kadar aktarım hızına izin verir. HBM2'nin özellikle sanal gerçeklik gibi performansa duyarlı tüketici uygulamaları için kullanışlı olduğu tahmin edilmektedir.
19 Ocak 2016'da Samsung, yığın başına 8 GB'a kadar olan erken seri HBM2 üretimini duyurdu. SK Hynix ayrıca Ağustos 2016'da 4 GB'lık yığınların kullanılabilirliğini açıkladı.
2018 yılının sonlarında, JEDEC, artan bant genişliği ve kapasiteleri sağlayan HBM2 şartnamelerinde bir güncelleme yaptığını duyurdu. Yığın başına 307 GB/s'ye kadar (2.4 Tbit/s etkin veri hızı) çalışan ürünler artık resmi şartnamede desteklenmektedir, ancak bu hızda çalışan ürünler zaten mevcuttu. Ayrıca, güncelleme 12-Hi yığınları (12 kalıp) için destekli istif başına 24 GB kapasiteye olanak tanır.
HBM3
Üçüncü nesil yüksek bant genişlikli bellek, HBM3, 2016 yılında duyuruldu. HBM3'ün daha yüksek bellek kapasitesi, daha fazla bant genişliği, daha düşük voltaj ve daha düşük maliyetler sunması bekleniyor. Artan yoğunluğun, kalıp başına daha fazla yoğunluk ve çip başına daha fazla kalıp yığınından gelmesi beklenmektedir. Bant genişliğinin 512 GB/s veya daha fazla olması bekleniyor. Samsung, 2020 yılına kadar yoğun üretim beklese de, çıkış tarihi açıklanmadı.
HBM4
Exascale yüksek performanslı bilgisayarların geleceği için Hewlett Packard Enterprise, OPGHC HBM3+ ve HBM4'ün 2022 ile 2024 arasında piyasaya sürülmesini öngörüyor. Daha fazla istifleme ve daha yüksek kapasite, soket başına daha fazla adreslenebilir bellek ve daha yüksek hız getirmelidir. HBM3+, soket başına 4 TB/s ve 1024 GB adreslenebilir bellek ile planlanmaktadır (karşılaştırma için, üst düzey AMD EPYC yongaları 150 Gb/s ve CPU soketi başına 2048 GB adreslenebilir DDR4 DRAM'a sahiptir). 32 Gbit (4 GB) DRAM kalıp ve HBM3+, yığın başına 16 kalıp ile her bir HBM3+ bileşeni 64 GB kapasite sağlayacaktır.
Ayrıca bakınız
- , Micron Technology'den (2011) yığılmış bellek standardı.
Kaynakça
- ^ [Yüksek Bant Genişlikli DRAM] (PDF). ISSCC 2014 Trends. ISSCC.org. 2014. s. 118. 6 Şubat 2015 tarihinde kaynağından (PDF) arşivlendi. Erişim tarihi: 14 Temmuz 2019.
- ^ Smith, Ryan (2 Temmuz 2015). "The AMD Radeon R9 Fury X Review" [AMD Radeon R9 Fury X İncelemesi]. anandtech.com. Anandtech. 22 Temmuz 2016 tarihinde kaynağından . Erişim tarihi: 1 Ağustos 2016.
- ^ Morgan, Timothy Prickett (25 Mart 2014). "Future Nvidia 'Pascal' GPUs Pack 3D Memory, Homegrown Interconnect" [Gelecekteki Nvidia 'Pascal' GPU'ları Paketleyen 3D Bellek, Homegrown]. EnterpriseTech. 26 Ağustos 2014 tarihinde kaynağından . Erişim tarihi: 26 Ağustos 2014.
Nvidia, AMD ve Hynix tarafından geliştirilen yığınlı DRAM'ın Yüksek Bant Genişlikli Belleği (HBM) varyantını benimseyecek (Nvidia will be adopting the High Bandwidth Memory (HBM) variant of stacked DRAM that was developed by AMD and Hynix)
- ^ [Yüksek Bant Genişlikli Bellek (HBM) DRAM (JESD235)]. JEDEC. Kasım 2018. 18 Mart 2017 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 1 Haziran 2019.
- ^ "JESD235a: High Bandwidth Memory 2" [JESD235a: Yüksek Bant Genişliği Bellek 2]. 12 Ocak 2016. 7 Haziran 2019 tarihinde kaynağından . Erişim tarihi: 14 Temmuz 2019.
- ^ Joonyoung Kim; Younsu Kim (26 Ağustos 2014). (PDF). SK Hynix // Hot Chips. 13 Mayıs 2015 tarihinde kaynağından (PDF) arşivlendi. Erişim tarihi: 14 Temmuz 2019.
- ^ "Where Are DRAM Interfaces Headed?" [DRAM Arayüzleri Nereye gidiyor?] (İngilizce). EETimes. 18 Nisan 2014. 15 Haziran 2018 tarihinde kaynağından . Erişim tarihi: 14 Temmuz 2019.
Hibrit Bellek Küpü (HMC) ve Yüksek Bant Genişliği Bellek (HBM) adı verilen rakip bir teknoloji, bilgisayar ve ağ uygulamalarını hedeflemektedir. Bu yaklaşımlar bir mantık yongasının üstüne birden fazla DRAM yongası yığıyor. ("The Hybrid Memory Cube (HMC) and a competing technology called High-Bandwidth Memory (HBM) are aimed at computing and networking applications. These approaches stack multiple DRAM chips atop a logic chip.")
- ^ Highlights of the HighBandwidth Memory (HBM) Standard 13 Aralık 2014 tarihinde Wayback Machine sitesinde .. Mike O’Connor, Sr. Research Scientist, NVidia // The Memory Forum – June 14, 2014
- ^ "High-Bandwidth Memory (HBM)" (PDF). AMD. 1 Ocak 2015. 18 Mart 2019 tarihinde kaynağından (PDF). Erişim tarihi: 10 Ağustos 2016.
- ^ Valich, Theo. "NVIDIA Unveils Pascal GPU: 16GB of memory, 1TB/s Bandwidth". VR World. 14 Temmuz 2019 tarihinde kaynağından . Erişim tarihi: 24 Ocak 2016.
- ^ "Samsung Begins Mass Producing World's Fastest DRAM – Based on Newest High Bandwidth Memory (HBM) Interface". news.samsung.com. Samsung. 21 Haziran 2019 tarihinde kaynağından . Erişim tarihi: 14 Temmuz 2019.
- ^ . extremetech.com. 19 Ocak 2016. 14 Temmuz 2019 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 14 Temmuz 2019.
- ^ Shilov, Anton (1 Ağustos 2016). . Anandtech. 2 Ağustos 2016 tarihinde kaynağından arşivlendi. Erişim tarihi: 1 Ağustos 2016.
- ^ Walton, Mark (23 Ağustos 2016). "HBM3: Cheaper, up to 64GB on-package, and terabytes-per-second bandwidth". Ars Technica. 2 Şubat 2017 tarihinde kaynağından . Erişim tarihi: 3 Şubat 2017.
- ^ Ferriera, Bruno (23 Ağustos 2016). "HBM3 and GDDR6 emerge fresh from the oven of Hot Chips". Tech Report. 4 Şubat 2017 tarihinde kaynağından . Erişim tarihi: 3 Şubat 2017.
Dış bağlantılar
- High Bandwidth Memory (HBM) DRAM (JESD235)18 Mart 2017 tarihinde Wayback Machine sitesinde ., JEDEC, October 2013
- Lee, Dong Uk; Kim, Kyung Whan; Kim, Kwan Weon; Kim, Hongjung; Kim, Ju Young; Park, Young Jun; Kim, Jae Hwan; Kim, Dae Suk; Park, Heat Bit; Shin, Jin Wook; Cho, Jang Hwan; Kwon, Ki Hun; Kim, Min Jeong; Lee, Jaejin; Park, Kun Woo; Chung, Byongtae; Hong, Sungjoo (9–13 Şubat 2014). "A 1.2V 8Gb 8-channel 128GB/s high-bandwidth memory (HBM) stacked DRAM with effective microbump I/O test methods using 29nm process and TSV". 2014 IEEE International Solid-State Circuits Conference – Digest of Technical Papers. IEEE (6 Mart 2014 tarihinde yayınlandı). ss. 432-433. doi:10.1109/ISSCC.2014.6757501. Erişim tarihi: 13 Nisan 2019.
- HBM vs HBM2 vs GDDR5 vs GDDR5X Memory Comparison14 Temmuz 2019 tarihinde Wayback Machine sitesinde .
wikipedia, wiki, viki, vikipedia, oku, kitap, kütüphane, kütübhane, ara, ara bul, bul, herşey, ne arasanız burada,hikayeler, makale, kitaplar, öğren, wiki, bilgi, tarih, yukle, izle, telefon için, turk, türk, türkçe, turkce, nasıl yapılır, ne demek, nasıl, yapmak, yapılır, indir, ücretsiz, ücretsiz indir, bedava, bedava indir, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, resim, müzik, şarkı, film, film, oyun, oyunlar, mobil, cep telefonu, telefon, android, ios, apple, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, pc, web, computer, bilgisayar
High Bandwidth Memory veya HBM Yuksek Bant Genislikli Bellek Samsung AMD ve SK Hynix in SDRAM i icin yuksek performansli bir RAM arayuzudur Yuksek performansli grafik hizlandiricilari ve ag aygitlariyla birlikte kullanilmak uzere tasarlanmistir Ilk HBM bellek yongasi 2013 yilinda SK Hynix tarafindan uretildi ve HBM yi kullanan ilk cihazlar 2015 yilinda GPU lardi Yuksek Bant Genislikli Bellek kullanan bir grafik kartinin semasi TSV Through silicon via bakiniz Yuksek Bant Genislikli Bellek tarafindan Ekim 2013 te bir endustri standardi olarak kabul edilmistir Ikinci nesil HBM2 Ocak 2016 da JEDEC tarafindan kabul edildi TeknolojiHBM DDR4 veya GDDR5 ten onemli olcude daha kucuk daha az guc kullanirken daha yuksek bant genisligi elde eder Bu TSV Through silicon via ve mikro yumrular ile birbirine baglanan bir bellek denetleyicisine sahip istege bagli bir taban kalibi dahil olmak uzere sekize kadar DRAM kalibinin boylece uc boyutlu bir entegre devre olarak istiflenmesi ile elde edilir HBM teknolojisi prensipte benzer ancak Micron Technology tarafindan gelistirilen Melez Bellek Kup arayuzu ile uyumsuzdur HBM bellek veriyolu DDR4 veya GDDR5 gibi diger DRAM belleklerine kiyasla cok genistir Dort DRAM kalibi olan bir HBM yigini 4 Hi toplam 8 kanal ve toplam 1024 bit genisliginde kalip basina iki tane 128 bitlik kanala sahiptir Dort adet 4 Hi HBM yiginina sahip bir grafik karti GPU bu nedenle 4096 bit genisliginde bir bellek veriyoluna sahip olacaktir Buna karsilik GDDR belleklerin veriyolu genisligi 32 bit 512 bit bellek arayuzlu bir grafik karti icin ise 16 kanaldir HBM paket basina 4 GB a kadar destekler DDR4 veya GDDR5 e gore bellege daha fazla sayida baglanti yapilmasi HBM bellegini GPU ya veya diger islemcilere baglamak icin yeni bir yontem gerektiriyordu AMD ve Nvidia hem bellek hem de GPU yu baglamak icin interposer baglantilar arasinda yonlendirme yapan bir arayuz adi verilen amaca uygun silikon yongalari vardir Bu interposer bellek ve islemcinin fiziksel olarak yakin olmasini ve bellek yollarini azaltmasini gerektiren ek bir kazanima sahiptir Bununla birlikte yari iletken cihaz uretimi baskili devre karti uretiminden onemli olcude daha pahali oldugundan bu nihai urune ek maliyet getirir Arayuz HBM DRAM dagitik bir arayuz ile ana bilgisayar hesaplama kalibina sikica baglanmistir Arayuz bagimsiz kanallara ayrilmistir Kanallar birbirinden tamamen bagimsizdir ve mutlak olarak birbirine senkronize degildir HBM DRAM yuksek hizli dusuk guclu calisma elde etmek icin genis bir arayuz mimarisi kullanir HBM DRAM 500 MHz hizinda saat CK t CK c burada t soneki diferansiyel ciftin gercek veya pozitif c ise tamamlayici oldugu anlamina gelir kullanir Komutlar CK t CK c nin yukselen kenarinda kaydedilir Her kanal arayuzu cift veri hizinda DDR calisan 128 bitlik bir veri yolu tutar HBM pin basina 1 GT s aktarim hizlarini 1 bit aktarimi destekler ve 128 GB s lik genel bir paket bant genisligi saglar HBM2 Ikinci nesil yuksek bant genislikli bellek olan HBM2 yigin basina sekiz kalip ve 2 GT s ye kadar pin aktarim hizlarini da belirler 1024 bit genis erisime wide access sahip olan HBM2 paket basina 256 GB sn lik bellek bant genisligine erisebilir HBM2 tanimlamasina gore paket basina 8 GB a kadar aktarim hizina izin verir HBM2 nin ozellikle sanal gerceklik gibi performansa duyarli tuketici uygulamalari icin kullanisli oldugu tahmin edilmektedir 19 Ocak 2016 da Samsung yigin basina 8 GB a kadar olan erken seri HBM2 uretimini duyurdu SK Hynix ayrica Agustos 2016 da 4 GB lik yiginlarin kullanilabilirligini acikladi 2018 yilinin sonlarinda JEDEC artan bant genisligi ve kapasiteleri saglayan HBM2 sartnamelerinde bir guncelleme yaptigini duyurdu Yigin basina 307 GB s ye kadar 2 4 Tbit s etkin veri hizi calisan urunler artik resmi sartnamede desteklenmektedir ancak bu hizda calisan urunler zaten mevcuttu Ayrica guncelleme 12 Hi yiginlari 12 kalip icin destekli istif basina 24 GB kapasiteye olanak tanir HBM3 Ucuncu nesil yuksek bant genislikli bellek HBM3 2016 yilinda duyuruldu HBM3 un daha yuksek bellek kapasitesi daha fazla bant genisligi daha dusuk voltaj ve daha dusuk maliyetler sunmasi bekleniyor Artan yogunlugun kalip basina daha fazla yogunluk ve cip basina daha fazla kalip yiginindan gelmesi beklenmektedir Bant genisliginin 512 GB s veya daha fazla olmasi bekleniyor Samsung 2020 yilina kadar yogun uretim beklese de cikis tarihi aciklanmadi HBM4 Exascale yuksek performansli bilgisayarlarin gelecegi icin Hewlett Packard Enterprise OPGHC HBM3 ve HBM4 un 2022 ile 2024 arasinda piyasaya surulmesini ongoruyor Daha fazla istifleme ve daha yuksek kapasite soket basina daha fazla adreslenebilir bellek ve daha yuksek hiz getirmelidir HBM3 soket basina 4 TB s ve 1024 GB adreslenebilir bellek ile planlanmaktadir karsilastirma icin ust duzey AMD EPYC yongalari 150 Gb s ve CPU soketi basina 2048 GB adreslenebilir DDR4 DRAM a sahiptir 32 Gbit 4 GB DRAM kalip ve HBM3 yigin basina 16 kalip ile her bir HBM3 bileseni 64 GB kapasite saglayacaktir Ayrica bakiniz Micron Technology den 2011 yigilmis bellek standardi Kaynakca Yuksek Bant Genislikli DRAM PDF ISSCC 2014 Trends ISSCC org 2014 s 118 6 Subat 2015 tarihinde kaynagindan PDF arsivlendi Erisim tarihi 14 Temmuz 2019 Smith Ryan 2 Temmuz 2015 The AMD Radeon R9 Fury X Review AMD Radeon R9 Fury X Incelemesi anandtech com Anandtech 22 Temmuz 2016 tarihinde kaynagindan Erisim tarihi 1 Agustos 2016 Morgan Timothy Prickett 25 Mart 2014 Future Nvidia Pascal GPUs Pack 3D Memory Homegrown Interconnect Gelecekteki Nvidia Pascal GPU lari Paketleyen 3D Bellek Homegrown EnterpriseTech 26 Agustos 2014 tarihinde kaynagindan Erisim tarihi 26 Agustos 2014 Nvidia AMD ve Hynix tarafindan gelistirilen yiginli DRAM in Yuksek Bant Genislikli Bellegi HBM varyantini benimseyecek Nvidia will be adopting the High Bandwidth Memory HBM variant of stacked DRAM that was developed by AMD and Hynix Yuksek Bant Genislikli Bellek HBM DRAM JESD235 JEDEC Kasim 2018 18 Mart 2017 tarihinde kaynagindan arsivlendi Erisim tarihi 1 Haziran 2019 JESD235a High Bandwidth Memory 2 JESD235a Yuksek Bant Genisligi Bellek 2 12 Ocak 2016 7 Haziran 2019 tarihinde kaynagindan Erisim tarihi 14 Temmuz 2019 Joonyoung Kim Younsu Kim 26 Agustos 2014 PDF SK Hynix Hot Chips 13 Mayis 2015 tarihinde kaynagindan PDF arsivlendi Erisim tarihi 14 Temmuz 2019 Where Are DRAM Interfaces Headed DRAM Arayuzleri Nereye gidiyor Ingilizce EETimes 18 Nisan 2014 15 Haziran 2018 tarihinde kaynagindan Erisim tarihi 14 Temmuz 2019 Hibrit Bellek Kupu HMC ve Yuksek Bant Genisligi Bellek HBM adi verilen rakip bir teknoloji bilgisayar ve ag uygulamalarini hedeflemektedir Bu yaklasimlar bir mantik yongasinin ustune birden fazla DRAM yongasi yigiyor The Hybrid Memory Cube HMC and a competing technology called High Bandwidth Memory HBM are aimed at computing and networking applications These approaches stack multiple DRAM chips atop a logic chip Highlights of the HighBandwidth Memory HBM Standard 13 Aralik 2014 tarihinde Wayback Machine sitesinde Mike O Connor Sr Research Scientist NVidia The Memory Forum June 14 2014 High Bandwidth Memory HBM PDF AMD 1 Ocak 2015 18 Mart 2019 tarihinde kaynagindan PDF Erisim tarihi 10 Agustos 2016 Valich Theo NVIDIA Unveils Pascal GPU 16GB of memory 1TB s Bandwidth VR World 14 Temmuz 2019 tarihinde kaynagindan Erisim tarihi 24 Ocak 2016 Samsung Begins Mass Producing World s Fastest DRAM Based on Newest High Bandwidth Memory HBM Interface news samsung com Samsung 21 Haziran 2019 tarihinde kaynagindan Erisim tarihi 14 Temmuz 2019 extremetech com 19 Ocak 2016 14 Temmuz 2019 tarihinde kaynagindan arsivlendi Erisim tarihi 14 Temmuz 2019 Shilov Anton 1 Agustos 2016 Anandtech 2 Agustos 2016 tarihinde kaynagindan arsivlendi Erisim tarihi 1 Agustos 2016 Walton Mark 23 Agustos 2016 HBM3 Cheaper up to 64GB on package and terabytes per second bandwidth Ars Technica 2 Subat 2017 tarihinde kaynagindan Erisim tarihi 3 Subat 2017 Ferriera Bruno 23 Agustos 2016 HBM3 and GDDR6 emerge fresh from the oven of Hot Chips Tech Report 4 Subat 2017 tarihinde kaynagindan Erisim tarihi 3 Subat 2017 Dis baglantilarHigh Bandwidth Memory HBM DRAM JESD235 18 Mart 2017 tarihinde Wayback Machine sitesinde JEDEC October 2013 Lee Dong Uk Kim Kyung Whan Kim Kwan Weon Kim Hongjung Kim Ju Young Park Young Jun Kim Jae Hwan Kim Dae Suk Park Heat Bit Shin Jin Wook Cho Jang Hwan Kwon Ki Hun Kim Min Jeong Lee Jaejin Park Kun Woo Chung Byongtae Hong Sungjoo 9 13 Subat 2014 A 1 2V 8Gb 8 channel 128GB s high bandwidth memory HBM stacked DRAM with effective microbump I O test methods using 29nm process and TSV 2014 IEEE International Solid State Circuits Conference Digest of Technical Papers IEEE 6 Mart 2014 tarihinde yayinlandi ss 432 433 doi 10 1109 ISSCC 2014 6757501 Erisim tarihi 13 Nisan 2019 HBM vs HBM2 vs GDDR5 vs GDDR5X Memory Comparison14 Temmuz 2019 tarihinde Wayback Machine sitesinde